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器件型号：CSD16403Q5A 你好
当 TC 为25时、数据表不指示功率耗散。
当 TC 为25时、您能否提供功率耗散？
此致。
你好
当 TC 为25时、数据表不指示功率耗散。
当 TC 为25时、您能否提供功率耗散？
此致。
您好、Louis、
感谢您关注 TI FET。 我在下面添加了有关各种功率 MOSFET 封装的 MOSFET 持续电流(和功率)额定值和功率耗散能力的链接。 数据表中指定的功率耗散是一个简单的计算：PD =(Tj - Ta)/RthetaJA、其中 Tj =最大允许结温、Ta =环境温度、RthetaJA =结至环境热阻抗。 要计算 TC (外壳温度)= 25°C 时的最大功耗、只需用 TC 表示 Ta、用 RthetaJC 表示 RthetaJA、如下所示：PD =(Tj - TC)/RthetaJC =(150 - 25)/1.8°C/W = 69.4W。 这是一个非常大的数字、通常不可能在该封装中耗散这么多的功率、除非您有一个"无限"散热器、能够将外壳温度保持在25摄氏度。 在实际应用中、该封装在良好的 PCB 设计下可实现大约3W 的最大功耗。
