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器件型号：TPS51200 大家好、
我的客户想知道 Vo 和 VTTREF 的允许最大和最小电容值。
我需要很好地了解数据表说明以回答他们的问题、因此让我提出一些问题。
1. 根据数据表说明、我了解以下是允许的最大和最小电容值、这是正确的吗？
2. 对于不同的输出电压，如 Vo：1.25V、VTTREF：0.675用于 DDR3L，建议的电容范围是否相同？
3. 我没有在数据表中找到 Vo 的最大电容值描述，有没有限制？
[VTTREF]
最大值：0.47 μ F
最小值：0.1 μ F
基准输出。 μF 0.1 μ F 陶瓷电容器连接到 GND。 μF DDR 侧有一个 REFOUT 电容器、请将 REFOUT 引脚上的总电容保持在0.47 μ F 以下。 REFOUT 引脚无法断开
请参阅数据表中的"5引脚配置和功能"
[VO]
最大值：?
最小值：20uF (ESR 应小于2m Ω)
μF 实现稳定运行、VO 输出引脚的总电容必须大于20 μ F。 并联三个 μF μ F 陶瓷电容器、以最大限度降低等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)的影响。 mΩ ESR 大于2k Ω、则在输出端和 VOSNS 输入端之间插入一个 RC 滤波器、以实现环路稳定性。 RC 滤波器时间常数应几乎与输出电容器及其 ESR 的时间常数相同或略低于该时间常数。
请参阅数据表中的"8.2.2.3输出电容器"
此致、
Takashi Onawa
