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器件型号：LMZ31520 主题中讨论的其他器件： LMZ31530
专家 Hallo
在 LMZ31520数据表第4页注释(3)中、建议使用超低泄漏晶体管来驱动 INH 引脚(I<300nA)。
当 VIN 电压较高(12V、5V 等)时、是否可以放宽上述泄漏电流建议？
我可以在 LMZ31530数据表的第8页看到功能方框图。
LMZ31530的 INH 引脚在内部由 VIN (10KOhms 上拉)和 GND (6.65KOhms 下拉)之间的电阻桥设置。
我认为 INH 引脚的高电平取决于 VIN 值。
例如、如果 VIN=12V、INH 电平将为4.79V。
如果 VIN=5V、INH 电平将为2.00V。
如果 VIN=4.5V、INH 电平将为1.80V。
μA μA IHB 引脚的晶体管泄漏电流为10 μ A、IHB 端子的压降为0.1V (= 10k Ω 上拉 x 10 μ A)。
μA 晶体管10 μ A 的泄漏电流、IHB 引脚的电压如下所示。
如果 VIN=12V、INH 电平将为4.69V。
如果 VIN=5V、INH 电平将为1.90V。
如果 VIN=4.5V、INH 电平将为1.70V。
另一方面、INH 引脚的高电平阈值为1.8V。
当 VIN 为12V 或5V 时、它超过 INH 引脚的高电平阈值、因此我认为没有问题。
当 VIN 电压较高(12V、5V 等)时、是否可以放宽上述泄漏电流建议？
此致
阿特苏
