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器件型号：UCC21222 大家好、我正在尝试仿真一个非常基本的 D 类音频功率放大器。 我的问题是、我的两个摆动 NMOS MOSFET 之间似乎存在击穿电流。 我尝试 通过实施死区时间控制来避免击穿电流、但似乎不会停止击穿电流。 例如、当输出 A 为高电平且输出 B 脉冲为高电平时、输出 A 往往具有微小的尖峰、输出 B 脉冲为高电平。 这种微小的尖峰会导致两个 NMOS MOSFET 同时导通、从而导致击穿电流。 我做了什么事情、当另一个输出变为高电平时、低输出会产生微小的尖峰吗？
