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器件型号：LM5050-1 主题中讨论的其他器件： LM5060
大家好、
我有一 个使用 lm5050的1000W 电源项目。 由于此 IC 是首次使用、请帮助我查看。 原理图如下所示、
有两个电源、因此使用了2个 LM5050、如数据表所示)、一个电源为27V 1000W、另一个电源为24V 铅酸电池、功率为1000W、电流超过40A。 每个 LM5050驱动2对背靠背 N-MOS、这意味着上图中的4个 N-MOS Q23、Q24、Q25和 Q26。 MOSFET 是 AOTL66608、如下所示
请帮我仔细检查以下内容：
问题1：LM5050-1栅极驱动能力是否足以驱动4N-MOS？
问题2： 当输出电压高于输入电压时、IC 是否可以使用这种背靠背结构正常关闭 MOS？
问题3：VS 连接到输入 端或输出端是否有任何差异或偏好？
非常感谢！
此致
