[参考译文] LM5113：LM5113破坏性干扰问题

admin

Other Parts Discussed in Thread: LM5113, LMG1205, LMG1210, UCC27200

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/938874/lm5113-lm5113-destructive-glitch-question

器件型号：LM5113
主题中讨论的其他器件： LMG1205、 LMG1210、 UCC27200、 LMG1210EVM

一段时间前、有一个关于 LM5113破坏性干扰的简短主题。在极短的脉冲宽度下、LM5113会产生毛刺脉冲并损坏输出晶体管。

我目前正在使用 GaN 输出器件进行 D 类音频放大器设计、我遇到了这个问题。您能否告诉我您的任何较新器件(LMG1205/LMG1210？) 有同样的问题吗？提出要求的原因是所有音频放大器最终都会削波、这会导致 PWM 脉冲宽度接近零、因此我想知道是否需要在信号路径中包含抗削波电路。

感谢您提供的任何建议。

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2386680 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、John、

感谢您的联系。

据我所知、我不知道 LMG 驱动器系列有此类问题、但这些问题应该更适合窄脉冲宽度、因为 LMG1210可以处理低至1.8ns 的脉冲宽度、而 LMG1205可以处理低至10ns 的脉冲宽度。

话虽如此、我认为抗削波电路不会受损、因此在预期脉冲宽度低于1.8ns 时、我至少会有一个安全裕度占位符。

请确认此地址是否是您的查询地址。

此致、

-Mamadou

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2386680 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

嗯、正如我说过的、我实际上可以保证看到的脉宽为0ns。

出于好奇、您的 GaN 驱动器的行为为何不同于您的 MOSFET 驱动器？比如、我从未遇到过与您的 UCC27200有关的削波问题。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2386680 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

John、

LMG 系列和其他 MOSFET 驱动器使用不同的工艺和技术。

我们的 GaN 驱动器显然适用于更高的开关频率和更窄的脉冲宽度。

此致、

-Mamadou

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2386680 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

我对马马马杜未能澄清我的问题深表歉意。

在我的第一个问题中链接的线程中、原始作者指出、当输入脉冲宽度降至几 ns 以下时、LM5113将输出干扰。这种干扰导致上晶体管导通、而下晶体管导通、从而导致晶体管损坏。这是 D 类音频放大器中的常见情况。例如、在将音频信号与三波进行比较的典型应用中、音频信号的值可能接近、然后超过三波的最大峰值。这会导致放大器削波。因此、脉冲宽度将变得越来越窄、最终完全消失。只要自举电容器足够大、高侧晶体管将保持导通、低侧将保持关断状态、输出电压将限制在高侧轨电压下。

根据我的经验、像您的 UCC27200这样的传统半桥 MOSFET 驱动器不会出现任何问题。不过、根据我的经验、LM5113 GaN 驱动器也有问题。当放大器达到削波并且脉宽接近零时、半桥会交叉传导并损坏两个器件。我把这归功于前面提到的主题中所解释的机制。因此、这是驱动器工作正常的问题、即没有干扰、而速度较快的器件工作不正常。

我被引导至认为这对 LM5113而言是异常的、并希望验证 LMG1205/10的运行方式是否与此类似。您能验证吗？

我希望我能澄清我的问题。如果您想进一步讨论、请告诉我。