[参考译文] LM5113：LM5113破坏性干扰问题

嗯、正如我说过的、我实际上可以保证看到的脉宽为0ns。

出于好奇、您的 GaN 驱动器的行为为何不同于您的 MOSFET 驱动器？ 比如、我从未遇到过与您的 UCC27200有关的削波问题。

John、

LMG 系列和其他 MOSFET 驱动器使用不同的工艺和技术。

我们的 GaN 驱动器显然适用于更高的开关频率和更窄的脉冲宽度。

此致、

-Mamadou

我对马马马杜未能澄清我的问题深表歉意。

在我的第一个问题中链接的线程中、原始作者指出、当输入脉冲宽度降至几 ns 以下时、LM5113将输出干扰。 这种干扰导致上晶体管导通、而下晶体管导通、从而导致晶体管损坏。 这是 D 类音频放大器中的常见情况。 例如、在将音频信号与三波进行比较的典型应用中、音频信号的值可能接近、然后超过三波的最大峰值。 这会导致放大器削波。 因此、脉冲宽度将变得越来越窄、最终完全消失。 只要自举电容器足够大、高侧晶体管将保持导通、低侧将保持关断状态、输出电压将限制在高侧轨电压下。

根据我的经验、像您的 UCC27200这样的传统半桥 MOSFET 驱动器不会出现任何问题。 不过、根据我的经验、LM5113 GaN 驱动器也有问题。 当放大器达到削波并且脉宽接近零时、半桥会交叉传导并损坏两个器件。 我把这归功于前面提到的主题中所解释的机制。 因此、这是驱动器工作正常的问题、即没有干扰、而速度较快的器件工作不正常。

我被引导至认为这对 LM5113而言是异常的、并希望验证 LMG1205/10的运行方式是否与此类似。 您能验证吗？

我希望我能澄清我的问题。 如果您想进一步讨论、请告诉我。

感谢 John 的详细信息、

请允许我们进一步研究这个问题、我们很快就会回来。

感谢您的耐心等待。

此致、

-Mamadou  

谢谢、Mamadou。

John、我希望 LMG 系列能够处理比 LM5113更窄的脉冲宽度、而 LM5113的脉冲宽度是5.3ns 时的干扰问题。 如前所述、LMG 器件是我们针对1.8ns-4ns 脉冲宽度而优化的最新驱动器。 现在、在您的应用中、当放大器发生削波且脉冲宽度低于1.8ns 时、可能仍然存在干扰。

对于 UCC27200、从设计的角度来看、IC 结构与 LMG 系列和 LM5113不同、具有不同的输入级结构、这些结构可能/可能无法实现抗尖峰脉冲滤波器。

我需要将 LMG1210EVM 放在工作台上、以查看 PWM <= 8ns 时会发生什么情况。  

此致、

-Mamadou

好消息、Mamadou！ 请查看当您稍微降低一点时会发生什么情况。 IIRC、原始海报发现了3-8ns 区域的问题。 希望一切顺利！

John、Meanwhile、请参阅6.6部分、其中我们为 LMG1210指定了1.8ns 的脉宽操作。

此致、

-Mamadou

您好、Mamadou。 我确实了解最小脉冲宽度。 当音频放大器刚开始削波时、脉宽将变为零、但输出不再响应无关紧要。 这就是削波的性质。 我只想指出、这是正常情况、因此应预期具有较小的脉冲宽度。 它们不应该做任何破坏性的事情。

John、了解音频放大器削波的性质。

附加的是脉宽为8ns 的同一 EVM 上的波形、在这种情况下、当脉宽趋向于0时、HO false 低电平。

在这种情况下、我没有观察到在安装 GaN FET 的 PWM 模式下使用上述 LMG1210EVM 时出现任何破坏性行为。  

此致、

-Mamadou

好的。 谢谢、Mamadou。 我将挑选一个 EVM 在我的应用中进行验证。

John 听起来不错。

同时、如果还有其他问题、请告知我们。

此致、

-Mamadou