主题中讨论的其他器件: LMG1205、 LMG1020、 LMG1210、 ISO6721
您好!
我将查看三相48V、22A 峰值 H 桥、并希望使用 EPC2022作为晶体管。 我知道我可以使用 LMG1205等作为非隔离式设计的驱动器、但我需要将功率晶体管与控制信号隔离。 我曾考虑将 UCC21220A 用作隔离式驱动器、但不确定 EPC 器件的钳位电压是否过高。
您能否建议使用仅6V 的低 VG 击穿电压来驱动隔离式精密 GaN FET 的最佳方法?
谢谢
加斯
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您好!
我将查看三相48V、22A 峰值 H 桥、并希望使用 EPC2022作为晶体管。 我知道我可以使用 LMG1205等作为非隔离式设计的驱动器、但我需要将功率晶体管与控制信号隔离。 我曾考虑将 UCC21220A 用作隔离式驱动器、但不确定 EPC 器件的钳位电压是否过高。
您能否建议使用仅6V 的低 VG 击穿电压来驱动隔离式精密 GaN FET 的最佳方法?
谢谢
加斯
您好、Garth、
我们没有任何 UVLO 低于5V 的隔离式驱动器。 UCC21220A 建议的最小工作电压为6V、这种电压过高、但如果您实现了一些负关断、您可能会放弃使用此器件。
另一种替代方案是使用 LMG1020等专用 GaN 驱动器缓冲 UCC21220A 输出。 设置两个电源、一个 UCC21220A 大于6V、另一个 LMG1210小于5V。
否则、如果您需要+5V/0V 驱动电压、最佳选择是将 LMG1205或 LMG1210与 ISO6721等外部隔离器配合使用。
您需要哪种级别的隔离? 基本还是正常工作? 功能是保持电路正常工作所必需的隔离、Basic 增加了电击保护。
谢谢、
Krystian