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[参考译文] LM5117：LM5117数据表查询

admin
Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5117, TPS54360B, LM25117
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/905560/lm5117-lm5117-datasheet-inquiry

器件型号：LM5117
主题中讨论的其他器件： TPS54360B、 LM25117

你(们)好

请帮助我们提供以下信息

在 LM5117的电压数据表中、SW 至 AGND 的绝对额定值标记为-3.0至75V (请参阅图1)；

TPS54360B (如图2所示)、SW 引脚还将具有瞬态指示规格、

LM5117是否具有类似的规格？

非常感谢

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    您好！

    我 认为 LM5117在 SW 瞬态和 SW 额定值方面没有具体差异、因此请按照数据表所述的 SW 到 AGND 额定值进行操作。 谢谢。

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    伊文您好：

    下冲电压-3.8V 是否会影响 IC？

    2.如果是、是否有任何解决方案可改善下冲电压？

    非常感谢

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    您好！

    -3.8V 超过-3V 最大值、因此 会影响 IC。 它是固定的器件固有特性。

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    你(们)好，伊文

    客户测量下冲结果的波形。您能帮助提出改进方法吗？

    e2e.ti.com/.../_DA7DEF8D1657_.pdf

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    您好！

    您可以让它们使用较小的 C6、也可以只移除 C6和 R16缓冲器。

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    你好，Ivan

    测试结果如下所示， 以及任何其它改进建议

    1) 1)根据您的建议 、C6和 R16在 下方删除 、没有任何改进。

    2) R16 = 1 Ω、C6 = 10000pF 可按如下方式进行改进、但高侧 NMOS 温度上升20度

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    好的、我看到、您可以更改为更大的 R41和 R42吗？ 此外、您的 QM1和 QM2布局如何？ SW 走线是否非常短？

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    你好，Ivan

    测试 SW 电压时、为什么需要打开 LM25117 EVM 板上的 BWL？

    https://www.ti.com/lit/ug/snva469b/snva469b.pdf?ts=1591611382677&ref_url=https://www.ti.com/tool/LM25117EVAL?keyMatch%3DLM25117EVAL&tisearch=Search-EN-everything&usecase=GPN

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    您好！

     你的意思是 BWL？ 您可以在任何适当的设置下测试 SW。 谢谢。

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    TI__Guru**** 2387080 points
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     我们看到您的测试(EVM)处于 BwL 条件下(以20MHz 为单位限制带宽)。 我们的客户担心、因为他们在 BwL 和全带宽中看到不同的结果。

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    您好！

    如果您只是关注工作频率、则不需要 全带宽。 如果您想了解开关边沿的瞬态、 则需要全带宽选项。