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[参考译文] BQ35100EVM-795:如何使用 BQ35100EVM-795、BQstudio、EV2400对并联配置的2个主轴电池组(LS14500)测试 EOS 模式。

Guru**** 2481465 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ35100, BQSTUDIO, BQ35100EVM-795, EV2400

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/908667/bq35100evm-795-how-to-test-eos-mode-using-bq35100evm-795-bqstudio-ev2400-for-battery-pack-of-2-primary-shaft-battery-ls14500-in-parallel-configuration

器件型号:BQ35100EVM-795
主题中讨论的其他器件:BQ35100BQSTUDIOEV2400

我的原始应用程序行为如下所示:

我们的器件的工作方式类似于每天唤醒5次、唤醒周期接近60秒、在此期间、从传感器进行测量并在 ZigBee 上发送数据并进入睡眠模式、工作模式电流接近80mA、睡眠模式为1.6mA。 我们正在使用两个采用并联配置的新型 Li-socl2不可充电电池(原因是一节电池的持续电流为50mA、因此我们使用两节电池并联来应对这种情况)。电池名称是 LS 14500轴电池。我们需要电池更换通知、因此我们计划使用 BQ35100的 EOS 模式。

我拥有的内容:

BQ35100EVM-795、BQstudio、EV2400、由2个并联配置的主轴电池(LS14500)组成的电池组。

规划是使用 BQ35100EVM-795并将其集成到原始产品中的第一个 I 测试行为。

下面总结了截至目前为止完成的活动:


安装最新版本的 bqstudio 和 ev2400驱动程序。

交叉检查文档中提到的所有跳线(J2跳线位于1s 侧、J3位于2s 上)。

-BAT+和-Pack 之间使用49 Ω 负载消耗70mA 电流。

-完成电压、温度和电流校准。

-根据我在数据存储器中的理解、将模式更改为 EOS 和其他设置。

现在,要了解 measuredZ 和缩放 R 的行为,请按照以下步骤操作(发送 START 测量仪表->对某个秒应用加载->删除负载->发送 STOP 测量仪表命令->等待数据更新->重复周期前等待60秒或更长时间)

我在上面的周期至少3次使用2种电池测试了这种情况、并将 measuredZ 和缩放的 R 记录在日志中

1-完全新电池(在这里我还发送新电池命令)

2节部分使用的电池

我发现在两种情况下的第一个周期后、两个电阻值相同、我认为应该不同。 以下是日志文件和其他文件(srec 和数据存储器)

e2e.ti.com/.../0100_5F00_1_5F00_02_2D00_bq35100_5F00_with_5F00_cal_5F00_EOS_5F00_mode.srec.txt

e2e.ti.com/.../bq35100_5F00_data_5F00_memory_5F00_with_5F00_cal_5F00_EOS.gg.csv.csv

e2e.ti.com/.../5037.log.txt

那么、测试和验证我的要求的标准程序是什么?

测试标准方法是什么?

我也不明白为什么两种情况下的值相同、我这样做是错误的?

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    Karan、

    有关程序的所有内容看起来都是正确的、除非您似乎没有关闭监测计。 监测计期望器件在脉冲之间断电、以清除已累加的 RAM。  

    这可以通过将 GE 引脚设置为低电平或发出 RESET 命令来实现。  

    谢谢、

    Eric Vos

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    感谢您的快速回复、

    但我还有一些问题、

    为什么在这两种情况下、第一个周期后 measuredZ 和缩放的 R 显示相同? 是否正是由于相同的原因、我没有拉低 GE 引脚?

     我注意到的另一件事是、每次我执行这个周期 SOH 时、它都会被固定值减去、例如5%。我知道在 EOS 模式下、SOH 读数将不准确、但在这种情况下、如果我执行周期20次、SOH 变为0%、而不是0% 实用。我不想对 SOH 进行精确的读取、但即使我获得了适当的读取、也可以使用该数据。

    是否有任何文档对“数据存储器”选项卡下的各种术语(例如短趋势脉冲和长趋势脉冲)提供了良好的解释,因为有许多术语?

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    Karan、

    由于 RAM 被清除、您在开始测试后和发送"新电池"命令后获得的值很可能是准确的。 之后、由于 RAM 未被清除、您的 measuredZ 和 scaledR 计算结果为32K。 该值会导致 SOH 希望报告0%。 但是、我们不允许增加 SOH 以获得用户体验、也不希望在一次读取中将值设为0。 因此、我们限制任何单个监测计停止事件的 SOH 变化量。 默认情况下、这是2、但它是开路 DF、可能已针对您的电路板更改为5。  

    短期/长期趋势是 TI 内部滤波器、用于计算何时达到使用寿命。 当这两个值的偏离超过阈值时、检测到 EOS。 这些滤波器没有映射、因为滤波器持续时间"可以"更改(不推荐)。  

    谢谢、

    Eric Vos

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    感谢 Eric 的快速回复、

    现在、我在每个周期后发送重新启动命令、两个值在 EOS 模式下都工作正常(意味着它不是32k)。

    但是、在 SOH 模式下、化学 ID 正确、同一 GE 引脚上拉为高电平和低电平序列、SOH 在每个周期中仍会递减固定值(运行状况最大增量%)?

    现在、我应该更改这个 短/长趋势值、还是保留原样、因为在参考手册中、它的默认值为0、但这里显示的是720452720220?

    我根据我的需要修改了电量监测选项卡下的数据、但 也有 RA 表、所以 它是否自动从化学数据中提取? 或者我应该更改并手动输入?

    我使用的是并联配置中的2节电池、因此根据您在一个单独的线程中的建议、我需要将缩放电阻降低2倍、这样我就没有办法这么做?

    化学 ID 是在 EOS 模式下起作用、还是仅在 SOH 模式下起作用?

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    您好 Eric、您能回答吗?

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    Karan、

    1) 1)我不确定重启意味着什么(您应该发送复位或将 GE 置为低电平)不会每次发送新电池

    2) SOH 来自与 ChemID 的阻抗相关性(主要来自 Ra 表)  

    3) 3) Ra 表随化学物质更新而更新。 以及其他内部监测参数

    4) 4)您不应触摸过滤器。 监测计将自动更新这些值(如果您更改了这些值、我将使用新的 batt 命令重新开始)

    5) 5)监测计应了解用于调整2个并联电池的换算系数。 如果你想把拉角表切割2个、这是一个相当好的步骤

    6) EOS 与化学 ID 无关

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    1) 1)我不确定重启意味着什么(您应该发送复位或将 GE 置为低电平)不会每次发送新电池

    重启 意味着发送软重启命令、每次连接新电池时发送一次电池命令时、我都不会发送新电池命令。

    5) 5)监测计应了解用于调整2个并联电池的换算系数。 如果你想把拉角表切割2个、这是一个相当好的步骤


    这是否意味着,我应该将 Ra 表值替换为(当前值/2)?

    对于 SOH、我执行以下步骤、

    设置 GE HIGH -> WAIT 1s -> SEND Gauge START ()-> Apply load and wait for 30 sec -> REMOVE LOAD -> SEND Gauge STOP 命令()-> Wait for G_DONE SET -> Read SOH -> Set GE LOW

    但是、SOH 仍然由 固定值(SOH 增量值%)递减、每个周期为2%。 化学 ID 已正确编程。

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    回复 Eric Vos24

    1) 1)我不确定重启意味着什么(您应该发送复位或将 GE 置为低电平)不会每次发送新电池

    重启 意味着发送软重启命令、每次连接新电池时发送一次电池命令时、我都不会发送新电池命令。

    5) 5)监测计应了解用于调整2个并联电池的换算系数。 如果你想把拉角表切割2个、这是一个相当好的步骤


    这是否意味着,我应该将 Ra 表值替换为(当前值/2)?

    对于 SOH、我执行以下步骤、

    设置 GE HIGH -> WAIT 1s -> SEND Gauge START ()-> Apply load and wait for 30 sec -> REMOVE LOAD -> SEND Gauge STOP 命令()-> Wait for G_DONE SET -> Read SOH -> Set GE LOW

    但是、SOH 仍然由 固定值(SOH 增量值%)递减、每个周期为2%。 化学 ID 已正确编程

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    Karan、

    您可以将 Ra 表替换为 Ra/2。 您也可以允许换算系数为您进行调整。  

    要检查 SOH 下降情况、请根据 Ra 表查看您的测量值 Z (在换算系数学习之前)和标量 R (在之后)。 该值下降的位置大约是 SOH 尝试到达的位置。 很可能您已在设置中添加了电容、导致 measuredZ 高于 ChemID Ra 表、从而导致 SOH 更低。

    Ra 表不会在整个 SOH 范围内均匀分布。 SOH 末尾附近有更多点、可更好地捕获端系统配置。 Ra0-Ra6涵盖 SOH 范围的大约70%。  

    如果我的回答是您的问题、请不要将其标记为已拒绝。 如果您有其他问题、请继续提问。 将其标记为"被拒绝"将影响可能面临同样问题的其他民族的搜索结果。  

    谢谢、

    Eric Vos

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    谢谢 Eric、

    实际上,我的印象是,如果我不取消它,那么您的最后一个答案将被视为最终答案,我的进一步消息将不会通知您,我将无法获得进一步查询的答案,因此我 必须创建新的线程,这就是我取消的原因 每次都是如此。

    我用 RA/2替换了 RA 表、但问题相同。我无法理解 SOH 行为的原因。除器件外、没有其他电阻。

    我正在收集日志以供我观察、因为我记录了 measuredZ、scaledR 以及其他几个术语。是否可以通过此日志来了解一些信息?

    e2e.ti.com/.../BQ35100_5F00_log_5F00_TI.csv

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    您好、Karan、

    您能否在此处提供 gg.csv 文件?

    我查看了日志文件、我认为您不应将 RA 表替换为 Ra/2。

    您可能需要浏览此处的 EVM 用户指南以进行初始设置、并运行电池运行周期以了解 SOH 随时间变化的行为。