您好!
输出电压的压摆率有问题。 在我们的项目中、Cdvdt = 100nF、Vin = 12V。 加电时、tdvdT 的时间应约为25ms。 有时 tdvdT 小于500us、有时约为25ms。
压摆率还取决于什么?
此致、
Kim
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您好、Rakesh、
图1.
在图1中-我们的计划有一部分。 3.3V 是 MCU 的电源、电流消耗不是很高(20-30mA)。
A)
B)
图2.
在图2中,A:
CH1 -输出电压;
-通道2 -输入电压。
在图2、b 中:
CH1 -输出电压;
- CH2 - V3 (通过测量电阻器 R11=0.2欧姆的压降、可进行"输入电流测量")。
有时这些过程如图3所示。
A)
B)
图 3.
在图3中、A:
CH1 -输出电压;
-通道2 -输入电压。
在图2、b 中:
CH1 -输出电压;
- CH2 - V3 ( 通过测量 电阻器 R11=0.2欧姆的压降、可进行"输入电流测量")。
很抱歉、我之前的消息是 tdvdt 小于500us、我想说 tdvdt 大约为500us。
此致、
金 D.
您好、Rakesh、
感谢您的回复。 不同 R10的 tdvdt 仍然大约为25ms 或500us。
无直流/直流负载:
a) R10=10k - Imax 约为800mA;
b) R10=30k - Imax 约为500mA;
没有直流/直流转换器(包括 C11-C14):
a) R10 = 10k - Imax 约为600mA;
b) R10 = 30k - Imax 约为500mA
如果没有 C10和直流/直流转换器、tdvdt 为25ms 或500us。 输入电流小于10mA。
此致、
金 D.