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您好!
我已经测试了其中的两个 IC、到目前为止、这两个 IC 的反馈电压都为80mV、即使我没有更改寄存器组 A0的值、我也将该寄存器组设置为 F8、但这没有任何区别。
是否有其他方法可以实现这一点?
任何帮助都将不胜感激!!
Ben Strawbridge
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您好!
我已经测试了其中的两个 IC、到目前为止、这两个 IC 的反馈电压都为80mV、即使我没有更改寄存器组 A0的值、我也将该寄存器组设置为 F8、但这没有任何区别。
是否有其他方法可以实现这一点?
任何帮助都将不胜感激!!
Ben Strawbridge
您好!
我制作了这些板。 我的问题是反馈引脚(引脚5)调节至75mV - 80mV。 我已经尝试将寄存器 A0设置为 FF 和 E0、但这没有效果。
您能就这方面的任何想法提出建议吗?
目标地址为0x53
10 D2
[这应该已经开启了电容器充电]
从默认值更改的寄存器只有:
目标地址为0x53
B0 0F [这应将闪存 LED 导通时间增加至512ms]
此致、
本
您好!
我已经解决了! 寄存器 C0和 D0我将用我自己的语言进行解释、因为我发现数据表很难理解。
寄存器 C0设置闪存将拒绝运行的温度。 任何高于此温度的值都将不会导致任何操作。 在数据表中、这称为温度感测高电平寄存器。
寄存器 D0设置超过此值时、闪存仅在最大电流的70%时工作的温度(数据表第7.3.3节第3段对此进行了解释)。 在数据表中、这称为温度感测低电平寄存器。
考虑到这一点、我们看到70%电流输出的原因是、因为与总温度一样、我认为温度感应低电平是冷(或低温)跳闸。 这是错误的。 它实际上为我们提供了在电流开始变热时限制电流的选项。
因此、一切实际上都正常工作、我刚才误解了 TI 对"感知低"一词的使用
此致、
Ben Strawbridge