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尊敬的支持团队：
我想知道线性 ORing 的反向电流保护。 根据数据表、VREVTH 定义为29.5mV@典型值。 我猜在 Vin-Vout 小于 VREVTH=29.5mV 期间、BFET 仍将导通、反向电流将流动。 我的理解是否正确？
此致、 Takahashi Hirokazu
Hirokazu - San、您好！
该器件集成了反向电流阻断 FET (BFET)、其工作方式与理想二极管类似。 在正向导通模式下、对 BFET 进行线性稳压以保持较小的恒定正向压降(VFWD)= 16.8mV、并在输出电压超过输入电压时完全关断以阻断反向电流。 这种闭环调节方案可在反向电流事件期间平稳关闭 MOSFET、并确保没有直流反向电流。
如果输出电压快速超过输入电压、则 BFET 需要快速关断。 因此、该器件还使用基于传统比较器(VREVTH)的反向阻断机制、对瞬态反向电流提供快速响应(TRCB = 1us)。 在此间隔内、瞬态反向电流将一直流动、直至 VREVTH 达到29.5mV、直至 BFET 关断。
此致、Rakesh
您好 Rakesh-San
感谢您的回复。 我可以理解、VREVTH 将定义为快速反向电压事件小于1us 时的阈值。 但我还不能理解为什么在慢速反向电压事件中反向电流将为零。 慢速反向电压事件时、Vin-Vout 是否有任何阈值？ 慢速事件时的反向电流是否定义为 IREVLKG 0.5uA？
随着 Vout 开始超过 Vin、流经路径的电流会降低。 该器 件尝试调节 BFET 的栅极以保持16.8mV 的正向电压、但一旦未能调节、BFET 的栅极便会平稳关闭。
对于慢速事件、阈值 Vin-Vout 应为16.8mV。 我将再次检查并确认。
感谢您的回复。 我想用一些波形来确认实际现象。 我可以在数据表的图8-15中找到在 Vout 电压增大时的任何反向电流。 您能否更详细地展示 IIN、VIN 和 VOUT 的垂直刻度？ 我可以在数据表的图8-14中找到快速事件时的反向电流。 在 VOUT 阶跃点、您能更详细地了解 IIN、VIN 和 VOUT 的垂直和时间 scase 吗？
图8-14和8-15中的垂直刻度为5A/div。 我们计划捕获更好的 RTM 版本波形、以显示减缓 Vout 和快速 Vout 上升情况下的反向电流现象差异。
感谢您指出此功能。
如果您有任何后续问题，请告诉我？
感谢您的支持。 下面我还有一些其他问题。
问题1. 让我确认一下选择快速电压阶跃和慢速电压斜坡的条件。 当 VOUT - Vin > Vrevth (29.5mV)将保持在 TRCB (1us)之上时、BFET 将关闭、作为快速电压阶跃。 正确吗？ 如果有其他情况、请告诉我。
问题2. 在低电压阶跃期间、TPS25947与 TPS25942A 二极管模式有何不同。
问题3. 您是否有发布 TPS25947的 TINA TI 仿真模型的计划？ 如果您愿意、将在何时完成？
问题4. 除了 TPS25942、是否有任何支持 DMODE 引脚功能的产品？
A1)正确。
A2)当在 TPS25942A 中启用二极管模式时、不会控制 BFET。 只有 BFET 的体二极管提供路径。
A3)我们将发布用于 TPS25947 RTM 的 PSpice 模型(截至目前尚未计划 TINA 模型)
A4)否
感谢您的支持。
让我确认一下缓慢电压斜坡的情况吗？ 我知道、当 VOUT - Vin > Vrevth (29.5mV)将保持在 TRCB (1us)之上时、BFET 将作为快速电压阶跃关闭。 除了它之外，情况是否会上升到缓慢的电压斜坡？ 如果定义慢速电压斜坡有任何其他条件、请告诉我。
条件是... 随着负载电流下降、VIN - VOUT 正向调节电压下降。 该器 件无法调节 BFET 的栅极以保持16.8mV 压降、因此可平稳关闭 BFET。
我想知道慢速斜坡将与快速斜坡交换的条件。 我猜可能是缓慢斜坡无法达到 BFET 调节所需的计时速度。 如果 BFET 调节可在1us 后作为 TRCB、我认为反向电流将完全阻断。 正确吗？
正确。
调节环路是典型带宽为50kHz 的慢环路。 如果 Vout 的快速斜坡导致 29.5mV 压降、它将充当到环路的大信号并在1us (典型值)内关断 BFET。
您的系统预计斜坡的速度/速度有多慢？ 系统中是否存在小反向电流流动的问题？
您能否分享应用用例、EE 详细信息。
