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尊敬的 Hegarty 先生
在第7.3.17节"高侧和低侧驱动器"中、我不确定 Δ Vbst 参数是什么。 100mV 至300mV 来自何处？ 这是 MOSFET 开关参数还是 HOL/HOL 输出参数？ 同样、我将使用 CSD87381P 双 MOSFET。
尊敬的 Dennis：
这是针对 MOSFET 导通期间提供的给定 MOSFET 栅极电荷和给定引导电容器值(电压降额、因为它是陶瓷电容器)、引导电容器上的电压变化。
此致、
Tim
很抱歉、我这么密集、但我没有得到它。 Cbst 电容器位于 HB 引脚 和 SW 引脚之间。 您是说 SW 引脚上的电压将从100mV 变为300mV、还是说100mV 至300mV 的电压变化来自栅极上的初始电压和栅极上的最终电压、这是栅极电容充电后的电压？ 给出的定义为 ΔVBST Ω 是高侧 MOSFET 驱动器在开通后允许的电压变化。 在我看来、连接到高侧 MOSFET 栅极的 HO 和 HOL 输出将非常高。 或者、这是 MOSFET 规格指定的 MOSFET 栅极上允许的变化吗？
就压摆率控制而言、我在规格中看到高侧和低侧 MOSFET 的开关时间为20ns。 在选择压摆率电阻器的值时、是否可以说电阻器/栅极电容时间常数需要小于20ns？
很抱歉出现所有问题。
差分 VBst 是引导电容器的电压变化(从 BST 到 SW)。 该电容器在 SW 上浮动、充当高侧栅极驱动器的电源。
您可以使用 LM5141-Q1快速入门计算器来帮助进行组件选择。 100nF 引导电容器是理想选择。 无需低侧栅极电阻器、只需在 HO 上放置几个欧姆即可控制高侧 FET 导通转换。
您说 BST 是 HB 引脚吗？
是的、HB 引脚(我们的大多数器件将其标记为 BST 或 BOOT、很抱歉造成混淆)。
谢谢你。
感谢您的询问、Dennis。
