[参考译文] UCC21520：PMSM 驱动器相位电压振铃

您好！

欢迎使用 e2e、感谢您提出问题。

它看起来可能是测量伪影。 您如何测量信号？

请参阅本文档的图6、了解降低测量环路的环路电感以最大限度降低噪声拾取的方法： http://www.ti.com/lit/ug/snou150b/snou150b.pdf

我假设尖峰与系统中另一个 MOSFET 的开关一致吗？ 我假设您只是从测量中的这些开关事件中拾取噪声。

您好！

感谢您的快速回答。

我正在使用接地弹簧夹进行测量、因此我认为它不是测量误差。

它可能是自开启现象吗？

尖峰的频率为2.2Mhz。

谢谢。

您好！

感谢您的快速回答。

我正在使用接地弹簧夹进行测量、因此我认为它不是测量误差。

它可能是自开启现象吗？

尖峰的频率为2.2Mhz。

谢谢。

您好！

它可能是这样。 输入端是否有 RC 低通滤波器？ 您是否已确定输入范围以查看此噪声是否通过输入耦合？

另一个潜在原因可能是噪声耦合到 DT 引脚上。 您是否已将其硬接至电源或通过电容器去耦以降低噪声？ 有关 DT 引脚的最佳做法的更多信息、请参阅数据表的第8.4.2节可编程死区时间(DT)引脚。

在 PWM 输入端、有49R9 + 470pF RC 网络。

我已将 DT 输入上拉至3V3电源。

我使用软件200ns-4us 范围更改了死区时间、但没有任何变化。

我连接的是 MOSFET 驱动器和相位功率级。 我将所有高侧和低侧 MOSFET 用于同一个 MOSFET 驱动器电路、所有 MOSFET 都具有分立式12V 隔离式直流/直流转换器。

大家好、非常感谢您提供的信息。

我查看了波形、它看起来、CGD 交叉耦合产生的噪声很有可能、而 CGD 在您的系统中很大。

在 100MHz 铁氧体磁珠时通常安装较大的 Rg 或30Ω Ω 至100Ω Ω 电阻、可确保清洁运行。

我建议您将 R27和 R35替换为大约~100Ω@100MHz、您应该会看到改进。

请告诉我们您的想法。

Wei

如果您有任何更新、请告知我们、谢谢。

您好、谢谢。

我尝试了很多东西。

正如您在 R27和 R35中提到的、我在上使用了100 Ω@100MHz 铁氧体磁珠、它没有发生任何变化。 我的栅极信号实际上是干净的。

我更换了4.7R-27R 范围内的栅极电阻器、它也没有改变任何东西。

我在缓冲电阻上并联了4R7、这是一个较低的峰值电压。

我将缓冲电容器更改为200nF、这是降低的峰值电压。

我还将高纹波电流12uF 薄膜电容器焊接到直流总线、它也没有任何变化。

但在28VDC 电源下、峰值可达到45V。  

我使用的 MOSFET 是 VS-FC420SA10。 它具有相当大的寄生效应。 我的布局可能具有一些寄生效应。

反向恢复二极管电荷很高、我在每个 MOSFET 上焊接了反向并联二极管、峰值会更高一点。

我有一个想法、我相信这会产生影响。

使用 UCC21520将驱动器电压从12V 更改为10V、或使用 UCC21540A 将8V、您将看到振铃减少。 对于 MOSFET、 驱动超过10V 几乎没有什么好处、相反、您会看到很多噪声。

任何更新。

你好。

我使用直流/直流转换器为 MOSFET 驱动器供电、因此无法将其更改为10V。

但我想问题是由布局造成的。

陶瓷电容器的返回路径和电机驱动电流返回路径不同、电容器路径更长。

我焊接了每个半桥桥臂的+和-薄膜电容器、纹波减少。 但我仍然看到相电压上有一些纹波。

我认为我需要重新进行布局设计并小心去耦电容器。

感谢您的回复。

我想问一些有关布局的问题。

MOSFET 很大、因此电流环路会变得很长。

对于去耦电容器和返回电流、是否可以在 PCB 上使用接地层和电源层？

开关节点是噪声源、我不确定是否要将接地平面和电源平面置于开关节点下方？

我可以使用薄膜电容器进行去耦、但我应该如何选择它们来获得纹波电流值？ 我应该为振铃频率还是 PWM 频率选择薄膜电容器？ 我是否应该为最小阻抗频率值选择薄膜电容器？

MOSFET 驱动器位于另一个 PCB 中、对于10kHz PWM 频率、我应该将它们放置在 MOSFET 电源板中并靠近 MOSFET 吗？

由于电容器的浪涌电流非常大、您建议使用什么来控制浪涌电流？

谢谢。