[参考译文] LM5175：低侧 MOSFET 上的肖特基二极管和 RC 缓冲器

您好、d_zero、

感谢您提出问题并在设计中考虑使用 LM5175。

添加肖特基二极管有助于在两个开关之间的死区时间内减少 MOSFET 上的压降。 如果肖特基二极管未组装、MOSFET 的体二极管将导通。 通常、体二极管的正向压降可以是1V 或更高。 肖特基二极管具有较低的压降、从而提高效率。 LM5175的死区时间为55ns

缓冲电路可以通过多种不同的方式进行计算。 此博客中介绍了其中一种最简单的方法。 我建议使用这种技术。

谢谢、

Garrett

您好、Garrett、

感谢重播。

1)

对于散射型二极管、压降越低越好、二极管的额定电流又如何呢？

如果 DCDC 的额定电流输出为2A、如何选择有关该电流的二极管？

还有任何有关肖特基二极管电容的问题吗？

2) 2)我将尝试缓冲器计算。

此致。