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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/939157/webench-tools-ucc27714-ucc27714-working
工具/软件：WEBENCH设计工具
大家好、
PWM 驱动高侧为16KHz、并随附独立高侧驱动器的图像。
我们能够在不为 IGBT 的漏极供电的情况下观察 HO 处的波形。
UCC27714损坏。
请建议一些解决方案。
您好 Gandhali、
感谢您的联系。
除非 HB-HS 上有专用的浮动偏置、否则这不起作用、因为自举电路与您的应用不兼容、因为在高侧关闭时、引导电容器需要一条接地路径来补充。
我建议您使用专用高侧驱动器或具有专用浮动电源、以便在应用中能够以高占空比运行时保持 HB-HS 高电平。
此致、
-Mamadou
您好、Mamadou、
感谢您的建议。
您可以向我推荐另一个独立的高侧驱动器吗？
感谢您关注 TI 高电压驱动器。 Mamadou 指出的问题是所有独立高侧浮动驱动器都存在的问题、具体取决于应用细节。
在您的应用中、低侧是否连接了 MOSFET、漏极是否连接到驱动器的开关节点或 HS 引脚？ 或者、您的动力总成是否使开关节点在启动时接近于接地、并将切换至接近于接地？ 正如 Mamadou 提到的、当开关节点或驱动器 HS 引脚切换至接近接地时、高侧偏置的引导电容器充电。
如果这是高侧驱动器、而高侧 MOSFET 源极不会靠近接地开关、则需要为 HB 到 HS 偏置提供隔离式偏置。 为此、TI 提供了一款具有成本效益的小型解决方案、即 SN6501和 SN6505变压器驱动器。 它专门针对此功能。 另一个需要考虑的 TI 高电压驱动器是采用8引脚 SOIC 封装的 UCC27712、它具有比 UCC27714更小的封装和更具成本效益。
确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。
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