[参考译文] UCC27211：UCC27211的最短导通时间(用于确保电荷自举电容器的底部开关)和死区时间是多少？

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/938241/ucc27211-what-is-the-minimum-turn-on-time-bottom-switch-to-ensure-charge-bootstrap-capacitor-and-dead-time-of-ucc27211

器件型号：UCC27211

大家好，

我已经观察到 UCC27211DDA 高侧/低侧栅极驱动器并将其用于我的4开关降压/升压应用。我将为您提出一个简单的基本问题。对于我的应用，最低开关导通时间对于自举电容器充电时间(最短充电时间)非常重要。使用最小导通时间信息，我将确定占空比限制。(如降压最大占空比不超过0.9，升压最小占空比不低于0.07等)

但在数据表中，这次没有任何信息。如何获取此信息？您能简单解释一下吗？

另一个基本问题是死区时间通常为2nsec，不是吗？这一次有点小？我希望大于100nsec。

我正在寻找您的回答和帮助。

谢谢。

Burak

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2386610 points

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大家好、Burak、今天是美国的假日。我的同事明天会回来。

0 admin 5 年多前

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Burak、您好！

感谢您关注我们的驱动器。

在低侧的最短导通时间方面、您需要确保引导电容器有足够的时间进行补充、以便在高侧导通期间、HB_HS 电压不会降至 UVLO 阈值以下。

如您所知、自举将通过自举二极管和电阻器从 VDD 电容器充电至低侧 FET 的低侧 RDS、ON。 BOOT 电容器的充电时间可通过时间常数 t = Cboot *[ Rboot + RDS、on ]近似计算。

您会将最小低侧导通时间调整为略高于此计算值。

至于死区时间、2ns 太小、具体取决于您的应用、正确的做法是、您希望有足够的击穿裕度、并根据您的应用要求选择死区时间、同时考虑可接受的死区时间损耗。

此致、

-Mamadou

0 admin 5 年多前

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你好，Mamadou，

感谢您的简要说明。此外，我想再问一个关于 Rboot 电阻的问题。

在 ucc27211dda 中，不包括 Rboot 电阻。不是吗？我没有 ın ucc27211dda 配置和电气参数。

UCC27211DDA 的 Rboot 电阻是多少？如果我取 0？

您给出的公式为 t= Cboot*(Rboot (take0)+RDS、on (MOSFET)+二极管导通电阻(动态电阻典型值=5欧姆，最大值=0.85欧姆) 这次将更加准确？

感谢您的帮助。

Burak

0 admin 5 年多前

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Burak、您好！

大多数栅极驱动器在 IC 中不包含自举电阻。此组件是在外部实现的、通常是可选的、但强烈建议使用。另一方面、驱动器 IC 通常包含自举二极管、以节省布板空间和成本。

对于第二个问题、是的、您还将考虑低侧 FET Rd、SON 和二极管动态特性。

下面的链接也可能会有所帮助。

https://www.ti.com/lit/an/slua887/slua887.pdf

此致、

-Mamadou

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] UCC27211：UCC27211的最短导通时间(用于确保电荷自举电容器的底部开关)和死区时间是多少？