您好、TI、
我们针对 我们的设计之一测试 CSD13385F5T、但根据建议的额定值、它不处理负载电流。。。
我们将 N 沟道 MOSFET (CSD13385F5T)用作低侧驱动器
输入漏极电压为5V
输入栅极电压为5V
最小预期输出功率为5W (输出电压5V 和输出电流1A)
对电子负载进行负载测试 (恒 定电流)
为了实现所需的输出功率、我需要做的是、请提供相关指南、参考设计和建议。
提前感谢您分享宝贵的详细信息。
谢谢、
Rahul
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您好、TI、
我们针对 我们的设计之一测试 CSD13385F5T、但根据建议的额定值、它不处理负载电流。。。
我们将 N 沟道 MOSFET (CSD13385F5T)用作低侧驱动器
输入漏极电压为5V
输入栅极电压为5V
最小预期输出功率为5W (输出电压5V 和输出电流1A)
对电子负载进行负载测试 (恒 定电流)
为了实现所需的输出功率、我需要做的是、请提供相关指南、参考设计和建议。
提前感谢您分享宝贵的详细信息。
谢谢、
Rahul
您好、Rahul、
感谢您关注 TI FET。 您能否详细介绍一下您的应用并分享原理图? CSD13385F5能够传导1A 的负载电流。 您说它无法处理800mA 以上的原因是什么? FET 应该导通时是否变得过热或 VDS 压降是否过大? 栅极电压为5V、但如何驱动 VGS? 是否有另一个电路来驱动栅极? 您是否确认您获得的是5V VGS? 此外,如何 向漏极提供5V 电压?
如果您单击我签名行中的链接、将转至 TI.com 上的 MOSFET 支持与培训页面。 在这里、您可以找到 TI FET 的技术信息和工具。