[参考译文] UCC5390-Q1：损耗评估和温升

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/946664/ucc5390-q1-loss-evaluation-and-temperature-rise

尊敬的所有人

我设计了一个采用 UCC5390-Q1的驱动器板、并注意到 IC 上的温升高于我的预期。  

下面是电路原理图。 PCB 布局基本上遵循建议。

测试条件：

 测得的 VCC2和 VEE2在14.2V 和-3V 下保持稳定。施加的 PWM 在50%占空比下为1MHz。

负载是一个 SiC 器 Ω 件、标称 Qg 约为35nC、内部栅极电阻约为3.5m Ω。 该器件在未施加 VDS 的情况下保持开路。 预期总输出 PD 应约为0.7W

室温约为25˚C 静止空气。 温度是使用热像仪测量的。

 Ω 结果1：应用的 Rg 为10k Ω。 GS 波形正确、但最终 IC 外壳顶部温度达到75˚C (IC 的输入侧冷却)。 所有周围物体的温度都较低。

 测试结果2：移除了 RG 并短接。 GS 波形正确、但最终 IC 外壳顶部温度达到73˚C (IC 的输入侧冷却)。 所有周围物体的温度都较低。

我的问题是

1)根据应用手册、计算出的测试1的 IC 输出损耗应为0.7W/2 *(0.7/(0.7+13.5)+0.13/(0.13+13.5))= 0.02W。这50˚C 的温升是否正常？ 或者、我是否在评估中犯错？

2) 2)测试1中的 IC 输出损耗(总外部 Rg 10+3.5)应在测试2中大幅增加。 为什么最终的 IC 外壳温度几乎相同？