[参考译文] TPS2065D：OTG 条件下的反向电流

您好、Muk、

内部结构是背靠背的 Mos。

当 IN=0或 EN 下拉至 GND 时、应阻断反向电流。

对于 TI 的政策、我将首先单击 Resolved 按钮。

如果您有任何其他问题、请随时与我联系。

如果您认为问题已解决、请单击"问题已解决"按钮。

谢谢。

您好、Zhang San、

我理解了您对内部背靠背 MOSFET 的评论。

但是、以下波形在 Vin=0V、EN=0V 和 Vout=5V 时具有反向电流。

您能告诉我这个波形的原因吗？

谢谢

穆克

大家好、Muk-San、

您是否移除了 IC 的输出电容器？

我认为它是来自充电输出电容器的瞬态电流。

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如果您认为问题已解决、请单击"问题已解决"按钮。

谢谢。

您好、Zhang San、

移除的 IC 上的以下波形(安装了输出电容器)。

我们无法在此波形上找到反向电流。 因此、我认为它不依赖于充电输出电容器。

在 IN=5V、EN=0V 时的以下波形。
我们无法在此波形上找到反向电流。

如果原因是输出电容器、我认为   在这种情况下它应该具有反向电流。

谢谢

穆克

大家好、Muk-San、

什么是 Isys？

是否可以移除该行以进行测试？

大家好、Muk-San、

我认为它可能与输出放电功能相关。

我已在 TI store 申请样片。

有一个测试。

但在此之前、您可以了解输出放电功能。

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如果您认为问题已解决、请单击"问题已解决"按钮。

谢谢。

张圣

感谢您的支持。

我们等待您的测试结果。

谢谢

穆克

当然。

张圣

你有更新吗？

谢谢

穆克

Muk-San、

IC 尚未到达。

将相应地进行更新。

谢谢。

大家好、Muk-San、

很抱歉耽误你的回答。

下面是 TPS2065D EVM 板的测试结果。

VIN=0V (连接到 GND 或悬空)、EN 连接到 GND、对于 Vout=5V。

测量 Iout。

从波形中可以看到，输出电流约为100mA，即瞬态电流。 我想这是来自输出电容器的电流。

当我取下输出电容器时、很容易损坏器件。

我想确认您测试的电流是瞬态电流还是恒定电流？

此外、请在测试过程中确认 IC 是否正常或异常。

大家好、Muk-San、

我再次测试几个部分。

Cout=150uF+0.1uF 时、VIN 接地短路或开路、EN 接地短路、测量 Iout=200mA。

2、Cout=0uF 时、VIN 接地短路或开路、EN 接地短路、测量 Iout=0mA。

可以看出反向电流来自输出电容器。

请再次确认您的结果。

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谢谢。

您好、Zhang San、

您能否告诉我此电流的根本原因？

为什么它在 增加输出电容器时会增加？

>此电流是 从 EVM 输出5V 到输出电容器的充电电流吗？  这是否意味着 IC 没有反向电流？

谢谢

穆克

大家好、Muk-San、

1.我认为反向电流是由 LC 振荡引起的，其中 L 来自电缆和 PCB 线。 与步进电压一样、输出电容器肯定具有 irush 电流。

2.测试条件被禁用且 VIN=0V、它将不具有反向电流、但具有几微安的泄漏电流、如数据表规格所示。

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如果您认为问题已解决、请单击"问题已解决"按钮。

谢谢。

您好、Zhang San、

感谢您的回答。

客户 在使用同一电路板移除 IC 时未找到反向电流。

此外、在  同一电路板上使用 TPS2065 (零版本)时、它们未找到反向电流。

我应该如何解释这种行为？

谢谢

穆克

今天将回复您。