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[参考译文] TPS22914:施加外部电压时的延迟时间

Guru**** 2540620 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS22914, TPS2115A, LM66100

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/915075/tps22914-delay-time-on-external-voltage-applied

器件型号:TPS22914
主题中讨论的其他器件: TPS2115ALM66100

大家好、团队成员

我使用 TPS22914C 和 TLV74218P 设计了电源多路复用器、如下所示。

在测量中、当电压从1.8V 上升到3.3V 时、延迟时间为1.8ms。

在 TPS22914C 的数据表中、延迟时间为913us (典型值)。

在施加外部电压的情况下、延迟时间是否会延长?  

此致、

Naoki

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    您好、Naoki、

    我看到在您的示波器捕获中、EN 将变为低电平。 TPS22914是一款高电平有效的器件、因此我认为这是 EN_1.8V?  

    您能否在探测 TPS22914C 的 VIN、von 和 VOUT 时重新捕捉此问题?

    作为参考、TPS22914C 的典型上升时间为913us、3.3V 时的典型延迟时间为622us。

    最后、对于专用的 PowerMUX 应用、是否可以在您的系统中改用 TPS2115A?

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    您好!

    抱歉、我重新捕获探测 TPS22914C 的 VIN、VOUT、von。 和 VON。

    延迟时间约为1.8ms、这与913μs μ s 不同。

    在施加外部电压的情况下、延迟时间是否会延长?  

    延长延迟时间不是问题、但我需要知道最大延迟时间。

    由于电压切换时的压降、我无法使用 TPS2115A。

    此致、

    Naoki

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    您好、Naoki、

    感谢您提供示波器捕获。 我想在回答之前先确定一下。

    当在输出电压上施加外部电压时、TPS22914C 的时序会受到影响、其时间可能长于数据表规格。 TI 不使用 VOUT 引脚上的电压来规范负载开关的时序、因此这些值可能不会保持。

    因此、我无法为此用例提供"最大延迟时间"。 LM66100等先合后断 OR-ing 拓扑是否更适合您的解决方案?

     

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    您好!

    如果在输出电压上施加外部电压、则电荷泵和控制逻辑通过体二极管连接外部电压、如下方框图所示。

    然而、Vin =3.3V 已经存在、并且它高于一个外部电压。 因此、我无法理解 TPS22914C 时序受到影响的原因。

    栅极驱动电路观察 Vout?

    如果是、我可以了解栅极驱动与外部电压的差异。

    最好的雷加尔

    Naoki

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    您好、Naoki、

    当一个外部电压被放置在输出上时、器件内控制块的内部基准将受到影响。 这不一定是由于通过体二极管的背导通、因为正如您正确提到的、VIN=3.3V。 数据表上的时序数据(对于这个器件)的指定方式不涉及 VOUT 上的外部电压。 TI 不对此参数进行规格说明。 如果内部基准被移位、那么时序可能偏离数据表上的值。

    我怀疑由于您使用的先合后断系统、时序也可能受到影响。 通常、带有负载开关的多路复用器是先断后合拓扑。 如有必要、可以再次运行测试、但在开启 TPS22914之前关闭 TLV74218P。

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    您好!

    改变输出上的外部电压、获得了以下结果。

    延迟时间与外部电压成正比。

    根据这一结果,可以粗略估计最大延迟时间吗?

    我想估计从1.8到3.3V 的最大延迟时间。

    从1.8V 到3.3V 的延迟时间在2.5V 到3.3V 之间可以超过一个?

    此致、

    Naoki

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    您好、Naoki、

    您是否有 EVM 可在 TPS22914C 上执行测试? 这在您的系统中的多个器件上是可重复的吗?

    我可能无法提供准确的时序数据、但我将尝试确认器件行为。 如果可能、我将执行内部测试、并在明天通过和更新返回给您。 如果您愿意、我们可以通过此主题提供电子邮件支持。 请通过 s-dmello@ti.com 向我发送电子邮件、并随时从您的系统发送任何相关数据。

    感谢您在设计中选择 TI 电源开关。

     

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    您好!

    在上一篇文章中、我评估了使用 TPS22914C 和稳压电源的情况。

    我不需要准确的时序数据。

    我想大致掌握从1.8V 到3.3V 的最大延迟时间。

    如果您确认器件行为、我将不胜感激。

    此致、

    Naoki

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    您好、Naoki、

    在此测试中、您将 TPS22914C 导通至预充电电源轨、该电源轨由另一电源主动供电。 该器件用于切换无源负载、而不是切换至有源电源轨。 因此、很难在此处提供任何确认。

    您能否使用与二极管(从二极管到输出电压)串联的10欧姆电阻再次进行测试?  

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    您好!

    感谢您的评论。

    我在下面的方框图中进行了重新测试。

    因此、与外部电压成比例的趋势没有变化。

    此致、

    Naoki

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    您好、Naoki、

    感谢您帮助我们完成此测试。 最后、我们执行了内部仿真。 感谢您以微小差异重新进行测试、因为它帮助我们加快了此请求。

    扩展延迟时序是器件导通的预期行为。 随着 Vout 上的电荷增加、延迟将延长更长。 这是由于集成 NFET 的导通物理特性造成的。

    正如我之前提到的、我无法提供确切的时序细节、但您会看到一个直接关系。 当输出端未充电时、数据表规格将保持不变。  

    感谢您在设计中选择 TI 电源开关。

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    您好!

    感谢您执行内部仿真。

    集成 FET 如何影响导通行为? 基准电压的充电时间变慢,导通时间延长?

    为了估算最长时间、我想大致了解导通行为的原理。  

    我打算根据测量数据估算从1.8V 转换到3.3V 时的最大延迟时间。

    因此、我想知道某种程度的变化。  

    测量数据(2.5V→3.3V)可用作从1.8V 转换到3.3V 时的最大时间? 还是应考虑其他变化?

    此致、

    Naoki

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    您好、Naoki、

    如前所述、除了本例中的一般行为外、无法提供有关时序的详细信息。 不建议执行此操作。

    对于 NMOS、当 Vgs>Vth 时形成通道。 随着 Vs 增加并预充电、栅极的充电时间会延长。

    谢谢你。