主题中讨论的其他器件: TPS2115A、 LM66100
大家好、团队成员
我使用 TPS22914C 和 TLV74218P 设计了电源多路复用器、如下所示。
在测量中、当电压从1.8V 上升到3.3V 时、延迟时间为1.8ms。
在 TPS22914C 的数据表中、延迟时间为913us (典型值)。
在施加外部电压的情况下、延迟时间是否会延长?
此致、
Naoki
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大家好、团队成员
我使用 TPS22914C 和 TLV74218P 设计了电源多路复用器、如下所示。
在测量中、当电压从1.8V 上升到3.3V 时、延迟时间为1.8ms。
在 TPS22914C 的数据表中、延迟时间为913us (典型值)。
在施加外部电压的情况下、延迟时间是否会延长?
此致、
Naoki
您好、Naoki、
我看到在您的示波器捕获中、EN 将变为低电平。 TPS22914是一款高电平有效的器件、因此我认为这是 EN_1.8V?
您能否在探测 TPS22914C 的 VIN、von 和 VOUT 时重新捕捉此问题?
作为参考、TPS22914C 的典型上升时间为913us、3.3V 时的典型延迟时间为622us。
最后、对于专用的 PowerMUX 应用、是否可以在您的系统中改用 TPS2115A?
您好、Naoki、
当一个外部电压被放置在输出上时、器件内控制块的内部基准将受到影响。 这不一定是由于通过体二极管的背导通、因为正如您正确提到的、VIN=3.3V。 数据表上的时序数据(对于这个器件)的指定方式不涉及 VOUT 上的外部电压。 TI 不对此参数进行规格说明。 如果内部基准被移位、那么时序可能偏离数据表上的值。
我怀疑由于您使用的先合后断系统、时序也可能受到影响。 通常、带有负载开关的多路复用器是先断后合拓扑。 如有必要、可以再次运行测试、但在开启 TPS22914之前关闭 TLV74218P。
您好、Naoki、
您是否有 EVM 可在 TPS22914C 上执行测试? 这在您的系统中的多个器件上是可重复的吗?
我可能无法提供准确的时序数据、但我将尝试确认器件行为。 如果可能、我将执行内部测试、并在明天通过和更新返回给您。 如果您愿意、我们可以通过此主题提供电子邮件支持。 请通过 s-dmello@ti.com 向我发送电子邮件、并随时从您的系统发送任何相关数据。
感谢您在设计中选择 TI 电源开关。
您好、Naoki、
感谢您帮助我们完成此测试。 最后、我们执行了内部仿真。 感谢您以微小差异重新进行测试、因为它帮助我们加快了此请求。
扩展延迟时序是器件导通的预期行为。 随着 Vout 上的电荷增加、延迟将延长更长。 这是由于集成 NFET 的导通物理特性造成的。
正如我之前提到的、我无法提供确切的时序细节、但您会看到一个直接关系。 当输出端未充电时、数据表规格将保持不变。
感谢您在设计中选择 TI 电源开关。
您好!
感谢您执行内部仿真。
集成 FET 如何影响导通行为? 基准电压的充电时间变慢,导通时间延长?
为了估算最长时间、我想大致了解导通行为的原理。
我打算根据测量数据估算从1.8V 转换到3.3V 时的最大延迟时间。
因此、我想知道某种程度的变化。
测量数据(2.5V→3.3V)可用作从1.8V 转换到3.3V 时的最大时间? 还是应考虑其他变化?
此致、
Naoki