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你(们)好
在测试连接到直流电源(16V、5A)的 BQ25710EVM 和设置为1A 恒定电流的电子负载时、
从我所知、充电器电压限制和最大系统电压连接到同一个寄存器。
使用 BqStudio I 能够更改最小系统电压(REG0x3E)和充电电压限制(REG0x15)、然而 V_sys 将始终保持在最小系统电压上、而不是接近充电电压限制。 这是 IC 的正常功能吗?是否有办法使其输出更接近充电电压限制的电压?
此致、
套件
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你(们)好
在测试连接到直流电源(16V、5A)的 BQ25710EVM 和设置为1A 恒定电流的电子负载时、
从我所知、充电器电压限制和最大系统电压连接到同一个寄存器。
使用 BqStudio I 能够更改最小系统电压(REG0x3E)和充电电压限制(REG0x15)、然而 V_sys 将始终保持在最小系统电压上、而不是接近充电电压限制。 这是 IC 的正常功能吗?是否有办法使其输出更接近充电电压限制的电压?
此致、
套件
套件、
在补充模式下、系统和电池之间的电压差将是 BATFET 的 VDS。
当 BATFET 关闭且电池高于 VSYSMIN 时、VSYS = VBAT + 160mV。
当 BATFET 导通且电池低于 VSYSMIN 时、VSYS = VSYSMIN
当 BATFET 导通且电池位于 VSYSMIN 和 SYSOVP 之间时、VSYS = VBAT
在 PTM 中、两个高侧 FET 都导通、而低侧 FET 关断、从而导致 VSYS 大致等于 VBUS。 但是、您将受到 SYSOVP 的限制。 最高的 SYSOVP 设置为19.5V、因此在没有转换器锁存的情况下、您将无法在 SYS 上获得24V 电压。
我对您的应用的详细信息有限、但您可能需要重新考虑您的电源架构。 我有一些建议、但您应该与相应的所有者一起打开一个新的主题、以了解更多信息。
我希望这对您有所帮助、
Ricardo