Other Parts Discussed in Thread: LM5116
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器件型号：LM5116 尊敬的专家：
我的客户在20~40V 输入电压(电池电源)、5Vout 2A (负载为射频模块等)降压电路中使用 LM5116、fs=250kHz。 但现在他们在最终客户中发现了10/1000比例电路板损坏问题。 检查后、Q2和 Q4的栅极和漏极均短接至源极、但 LM5116未损坏。
请参阅原理图、PCB、mos 数据表、如下所示。 从测试文件中、Vgs 和 Vds 似乎具有振荡。 随着 负载电流增加、振荡增加、MOS 受损。 目前的问题是：
1.是否与 MOS 管的选择有关，规格不推荐，内部电阻稍大，结电容略小于推荐的 MOS；
2.是否与布局有关，由於空间限制，MOS 管驱动电路和电源电路的情况略差；
3.是否与 IC 相关参数有关，以及相关容差参数的选择是否合理；
4.是否需要增加相关的保护电路，以及是否可以增加 MOS 管驱动线路和 MOS GS 之间的电阻。
请分享您的建议、谢谢。
e2e.ti.com/.../GPRS01_2D00_01V03_2D00_20200618_2D00_Schematic.pdfe2e.ti.com/.../GPRS01_2D00_01V03_2D00_20200618_2D00_PCB.pdfe2e.ti.com/.../AOD291_5F00_datasheet.pdf
