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您好！
如果您查看 MOSFET 的数据表、您将看到典型 VGS 为4V。 (最小3V、最大5V)。
许多用户使用了此参考设计、包括此电路。 它已经过 TI 和多个用户的测试。
此致、
Matt
您好、 Matt
如果您希望在给定的 Vgs 电压下实现较低的 Rdson、那么您肯定可以使用不同的 MOSFET。 例如、我们将 EVM 上的该器件用于 BQ76942电池监控器： http://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd19532q5b.pdf
我不是 TI 参考设计的设计人员、但正如我说过的、许多用户已经使用该电路进行了生产、因此我不知道有任何问题。 面临的挑战是将来自两个不同器件的 FET 控制信号与不同电压相结合。 该电路提供了可能的解决方案。
谢谢。
