我完成了我的项目的原理图:20s 80A PCM。
但我完成的 PCB 无法正常工作。
我上传了原理图以进行审阅。
请告诉我如何解决这个问题。
我已经检查了漏电电路、LD 是否有上部 IC、并通过手工布线添加到 PCB 上、但仍然不适用于 DSGfet。
充电工作正常、但放电不工作。
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我完成了我的项目的原理图:20s 80A PCM。
但我完成的 PCB 无法正常工作。
我上传了原理图以进行审阅。
请告诉我如何解决这个问题。
我已经检查了漏电电路、LD 是否有上部 IC、并通过手工布线添加到 PCB 上、但仍然不适用于 DSGfet。
充电工作正常、但放电不工作。
你(们)好
我的测试电池组是由 LG Chem 的 M50T 单元生产的20S8P。
该电芯的最大放电电流为每电芯15A。
我的电池组可以放电至120A
无论如何、我的 MOSFET 的 Vth 为2.9V、但我的最低 IC 无法输出 DSG 电压来开启 MOSFET。
即使我更改为最低 IC 的 OCDP 电阻器、也从10M 变为100K
此外、我添加了一个电路、最高 IC 的 PRES 引脚通过10K 电阻器连接到 VDD。
但是、即使现在所有电池都无法获得电池组电压、电压为3.603V、完全为71.98V
如何修复 PCB?
我已经为 IC1、2和3添加了 LD 电路、并更改为最低 IC 的 OCDP 电阻器。
您好!
我认为这是重复的线程。 请在此处查看我的回复: https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/926225