[参考译文] 正在寻找双通道和/或三通道理想二极管(/电源 ORing)控制器

您好 Frederic、

LM74700-Q1是一款线性稳压控制器、可完全阻止反向电流从一个通道流向另一个通道。

从一个电源到另一个电源不会有任何交叉传导。

如果两个电源电压不同、则一个电压较高的电源将提供满负载电流。

如果两个电压轨足够接近、则两个电压轨将共享负载电流。 (无直通)。

但我相信、根据"先断后合"方案的实现、您正在询问电源多路复用器或优先级电源多路复用器。

这将需要在3个电源路径中的每个路径中使用两个背对背连接的 N 沟道 MOSFET。

我们建议使用 LM74800-Q1、该器件支持使用外部 N-FET 的25A 应用的电源多路复用器。

应用手册(设计6，图15)中对此进行了更详细的讨论： https://www.ti.com/lit/an/slvaes2/slvaes2.pdf?ts=1594921629574

中讨论了其他"先断后合"实现方式：

1。  

2.  

上述应用手册介绍了如何使用电子保险丝或负载开关来实现电源多路复用器。

 https://www.ti.com/lit/an/slvaes2/slvaes2.pdf?ts=1594921629574的设计6中的优先级电源多路复用器实现中重复使用了同样的概念

如果您需要电源多路复用器实现的进一步支持、敬请告知。

此致、

Kari。

您好、Kari、

感谢您的反馈。

我同意： 为了控制 MOSFET 栅极的电压、LM74700-Q1具有线性稳压功能。

LM74700-Q1还具有2个快速比较器：  快速导通 +快速关断

问题在于、线性稳压非常慢(/低电流)、而我的 MOSFET 是高电流 MOSFET。

因此、它采用这两种方法中的一种

-相当长的时间   (线性调节+"高"栅极电容)

或

-用于    关断 MOSFET 的大量反向电流(快速比较器=>-11mV/2m Ω=-5.5A)(-11mV 是快速关断的典型阈值)。

在此期间、有一个"直通电流"从一个"理想二极管"流向另一个"交易二极管"。

我的应用程序无法接受此行为。

您是否同意我的分析？

您有解决方案吗？

理想情况下、我希望避免背靠背 MOSFET (和关断电阻器)、因为：

#1  所需的功能仅为"理想二极管"

2 2  2 MOSFET =更多空间+更多压降+更多热量

我还将查看您提供的文档。

谢谢

Frederic

您好！

对于电源变化缓慢的情况、线性稳压和反向比较器共同作用以减少峰值反向电流。

反向电流流动的峰值振幅和时间取决于两个电源之间的差异。

对于使用另一个电源的电源电压轨缓慢变化、峰值反向电流不是-11mV/2m Ω(-5.5A)。 当电源差异发生变化时、线性 ORing 方案也会降低栅极电压、这会导致 Rdson 和 Rdson 随电源差异增大而增大。 请注意、虽然 RDSon 减小、但电源站点将正向提供电流。 因此、Rdson 最终会增加到足够高的水平、以完全阻断反向电流。  

但是、如果输入变化得更快、则最大峰值反向电流为-11mv/Rdson、持续1us、因为线性调节不会反应、只有反向比较器在1us 内快速反应以关闭 MOSFET。

我们还有其他 ORing 选项、其中可对反向电流阈值进行编程。 TPS2412是一款最大额定电压为16V 的线性 ORing 控制器、适用于高电流应用。 反向电流可编程为接近-2mV 或-1.5mV。  

请注意、TPS2412不支持反极性输入保护。 如果您需要反极性保护、请告知我们、我们还有其他选项、例如 LM74800-Q1、该器件具有-4.5mV 反向比较器阈值并支持反极性保护。

此致

Kari。

您好、Kari、

要回答您的问题、我将尝试完成以下要求：

- 2和3通道理想二极管/电源 ORing
- VDC 最大值=+14.5V
- IDC 最大值= 25A
- N 沟道 MOSFET (首选)
-快速导通(电荷泵的储能电容器)
-105或125摄氏度工作温度      85摄氏度(可接受？？？？？？？？？？)
-反向输入电压保护(理想)
-无背对背 MOSFET (首选)

-无/最小瞬态反向电流  

(瞬态反向电流会在我的应用中造成严重问题。

例如、如果您在同步升压的输出中注入电流、升压转换器会将其输出电压应用于其输入

从而导致严重问题

)

关于"但如果输入变化更快、则最大峰值反向电流为-11mv/Rdson、持续1us、因为线性调节不会反应、只有反向比较器会在1us 内快速反应以关闭 MOSFET。"


我同意您所说的一切：

"慢速"输入电压转换不是一个大问题

"快速"输入电压转换不是一个大问题

问题是"中等"速度输入电压转换。

TPS2412和 LM74800-Q1似乎都建议减小瞬态反向电流(2个理想二极管之间的直通)。

但是、快速关断阈值似乎可能接近零。 风险是不稳定性(由于噪声或其他因素)。

此外、我还想双(/tripple)理想二极管控制器可以完全消除瞬态反向电流

确保只有一个 MOSFET 导通 =>在制造前断开

您能就此发表评论吗？

谢谢、

Frederic

您好 Frederic、

感谢您分享有关应用用例的更多信息、这有助于我们快速与您联系。

此类冷启动的中等转换时间为12V/10ms 或小于此时间。 在这种情况下、LM74800-Q1即使在严重冷启动情况下也能有效防止反向电流。 但是、如果具有特定的频率范围或斜升速率、我们也可以检查一下。

我同意、使用两个双理想二极管控制器可以消除瞬态反向电流、因为两个 MOSFET 上的 Rdson 都会增大、从而导致 Rdson 整体增大并导致整个反向电流阻断。

但由于两个串联 MOSFET、这会增加功率耗散。

此致、

Kari。

您好、Kari、

关于

"

我同意、使用两个双理想二极管控制器可以消除瞬态反向电流、因为两个 MOSFET 上的 Rdson 都会增大、从而导致 Rdson 整体增大并导致整个反向电流阻断。

但由于两个串联 MOSFET、这会增加功率耗散。

"

实际上、我在考虑每通道2个理想二极管对应1个控制器=> 1个 MOSFET

以消除瞬态反向电流。

但 TI 似乎没有这样的解决方案。

是这样吗？

谢谢、

Frederic