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[参考译文] UCC21750-Q1:与 DESAT 引脚相关的驱动器安全

Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21732-Q1, UCC21750-Q1, UCC21750, ISO5452-Q1, UCC21710-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/920106/ucc21750-q1-driver-safety-with-respect-to-desat-pin

器件型号:UCC21750-Q1
主题中讨论的其他器件:UCC21732-Q1UCC21750ISO5452-Q1UCC21710-Q1

大家好、

我计划将 UCC21750-Q1用于逆变器的栅极驱动器。 我已经阅读了一段时间的文档。 我一直在尝试与 UCC21732-Q1的参考设计相关联。

UCC21750-Q1的 DESAT 引脚与 UCC21732-Q1上的 OC 引脚相对应。 UCC21750-Q1的应用信息下找到


数据表建议使用肖特基二极管来抑制负电压损坏、并使用齐纳二极管来提供正电压保护。 没有任何与此相同的原理图。 我想知道我是否可以交替使用肖特基二极管进行负电压和正电压保护。 即肖特基至 COM 提供负电压保护、而肖特基至 VDD 提供正电压保护。 请告诉我是否可以这样做、如果我缺少某些东西、为什么数据表明确说明了建议使用肖特基+齐纳二极管而不是肖特基+肖特基

此外、如果我使用肖特基二极管、需要关注的关键参数是哪些? 目前、我看到的反向击穿大于我的双极电压电源、但我不确定如何获得其他参数。 请就此提供帮助?

在上面、您可以告诉我这三个条件是否仅适用于未使用 DESAT 引脚的情况。 我认为不像我要使用 DESAT 引脚那样、我需要这些二极管提供的钳位保护。

3.对于此设计、我是否需要将栅极引脚(Rgon 和 Rg0ff 之后)钳位到 VDD 和 VEE? 数据表建议仅使用高达 VDD 的内部二极管。 但是、由于我计划使用双极电源、我是否需要在外部为负电压供电?



谢谢!

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    您好、

    我不确定您是否可以查看图片、因此我将引用数据表中的页面和相应的部分作为参考

    第41页 、9.2.2.6过流和短路保护
    3.第28-29页 ,8.3.5短路钳位


    再次感谢您!

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    苛刻、

    [引用 user="Harsh Songara]1. UCC21750-Q1 的 DESAT 引脚与 UCC21732-Q1上的 OC 引脚相对应。 UCC21750-Q1的应用信息下、 如此处所附[/QUERP]

    我们正在上传完整的设计文件(等待团队将其发布到网络上)。 我将在此处附加 UCC21750 EVM 的完整设计文件、以便您在上传之前使用它们。 它将是同一个文件。 如果您打开原理图、您可以在 Altium 中更改变体、并在3D 视图中查看 PCB 上的确切变化(不会出现任何弹出)

    e2e.ti.com/.../2626.UCC217XXQDWEVM_2D00_025.zip

    下面显示了相关的保护二极管以及 P/N、在同一 EVM 指南中、我建议您同时使用齐纳二极管和肖特基二极管。 对于 schottyky、<1A 且您对额定电压正确、应为>VDD-VEE。 肖特基的原因与齐纳钳位不完全相同、其主要目的是防止任何噪声从开关耦合到 DESAT 引脚并使其降至零以下、您需要在此处实现快速响应、齐纳二极管无法完全像肖特基二极管那样实现这一目的。 也应使用齐纳二极管。

    [引用 user="Harsh Songara">2. 在上面、为了确保只有在未使用 DESAT 引脚时、您才能告诉我这三个条件是否适用。 我认为不像我要使用 DESAT 引脚那样、我需要这些二极管提供的钳位保护。[/引述]

    如果是、由于 DESAT 检测的工作原理、您需要使用这些保护二极管、而不是使用 OC。 对于具有 OC 引脚的 UCC217xx 型号、不会填充这些二极管。

    [引用 user="Harsh Songara]3. 对于此设计、我是否需要将栅极引脚(Rgon 和 Rg0ff 之后)钳位到 VDD 和 VEE? 数据表建议仅使用高达 VDD 的内部二极管。 但是、由于我计划使用双极电源、我是否需要在外部为负电压供电?[/报价]

    这取决于系统需求。 在栅极/发射极引脚上看到 TVS 的情况并不少见。 在 EVM 设计中、有 D9是 TVS 二极管。

    如果您有其他问题、请告诉我、如果我已经回答了您的问题、请按绿色按钮告知我

    最好
    Dimitri

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    您好 Dimitri、


    非常感谢您在这里的帮助!  
    我将查看设计文件、如果有任何疑问、请返回您的评论!

    谢谢你

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    苛刻、

    BTW 我正在讨论您关于使用2个肖特基二极管(一个二极管替代齐纳二极管)的问题、该肖特基二极管的阴极连接到 VDD

    这应该是可以的、因为 DESAT 引脚电压的绝对最大值可以支持肖特基、而不会超过 DESAT 引脚上电压的绝对最大值条件。

    我意识到我没有完全回答 TVS 的用途、它是为了抑制开关导致的栅极上的过冲/下冲和振铃、而硬开关可能会使情况更糟。

    最好

    Dimitri

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    您好 Dimitri、

    首先、希望您能度过一个愉快的周末。

    [引用 user="Dimitri James"]顺便说一句,我正在讨论您关于使用2个肖特基二极管(一个替换齐纳二极管)以及该肖特基连接到 VDD[/引用]的阴极的问题。

    感谢您的再次光临。 这实际上是我想问的,但现在这是清楚的。 但是,存在一个后续问题。 以比肖特基+肖特基更有利的方式使用肖特基+齐纳二极管、原因如下:

    • 这是数据表中提到的唯一解决方案
    • 在线查看几个参考资料后、建议使用上述方法作为数据表

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    对於这些意见,我亦有几项质询。 这些建议如下:

    1.

    <1A for the schottyky [/quot]

    为什么该电流必须专门小于1A? 是否有任何计算可供我查看/访问?

    2.[引用用户="Dimitri James"]肖特基之所以与齐纳钳位不完全相同,主要是为了防止耦合到 DESAT 引脚的任何噪声并将其降至零以下[/quot]

    我对此进行了一些研究、我认为我确实理解了这里的概念。 从我读取 ISO5452-Q1数据表的记忆中、我记得 HV DESAT 二极管必须具有低反向电容、并且必须能够快速恢复。 由于 dV/dt 作为 HV 二极管和消隐电容器之间电容分压器的一部分进行耦合、因此电容非常重要。

    因此、我认为必须选择肖特基二极管、这样、在以 COM 为基准的 DESAT 引脚上的 dV/dt 必须足够低、以便 DESAT 引脚不会被拉至低于 COM-0.3V。

    如果我错了、请纠正我的问题。

    如果这是正确的、我想向您展示一些基于我的设计参数的计算结果、但希望将它们保持在这个线程之外。 请告诉我如何在您方便的时候这样做。

    3.为了根据 IGBT 的 VCE 更改 VDESAT 阈值,我是否可以使用 TI DESAT 其他应用中使用的齐纳二极管?

    感谢您的帮助!!

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    苛刻、

    [引述 USER="Harsh Songara">为什么该电流必须特别小于1A? 是否有任何计算可供我查看/访问?

    我们没有进行计算、但一位同事使用肖特基二极管进行了一项研究、以保护栅极驱动器自身免受振铃影响、峰值电流能力规格应约为1A、额定电压应至少设置为超过 VDD-VEE。

    [引用 user="Harsh Songara)]我对此进行了一些研究,我认为我确实理解了这里的概念。 从我读取 ISO5452-Q1 数据表的记忆中、我记得 HV DESAT 二极管必须具有低反向电容、并且必须能够快速恢复。 由于 dV/dt 作为 HV 二极管和消隐电容器之间电容分压器的一部分进行耦合、因此电容非常重要。

    因此、我认为必须选择肖特基二极管、这样、在以 COM 为基准的 DESAT 引脚上的 dV/dt 必须足够低、以便 DESAT 引脚不会被拉至低于 COM-0.3V。 [/报价]

    这是一个原因是肯定的、这就是为什么肖特基通常放置在带齐纳二极管的//中、并连接到 COM/IGBT 发射极、以防止 DESAT 低于 com。

    此外、由于 DESAT 引脚上没有超出最大条件的可能性、因此可以使用红色肖特基代替12V 齐纳二极管。

    [引用 user="Harsh Songara]3. 为了根据 IGBT 的 VCE 更改我的 VDESAT 阈值、我是否可以使用其他 TI DESAT 应用中使用的齐纳二极管?[/QUERP]

    是的、如上图所示、有3V 齐纳二极管用于降低 DESAT 阈值。 这会将视在 DESAT 阈值增加3V。

    您可以看到 上一个主题在这里讨论这一点

    此外、如果您需要更高的精度、以及具有 OC 引脚的 UCC217xx 系列中的其他器件、则可以选择任意 DESAT 电压并使用电阻分压器进行设置。

    如果您有其他问题、请告诉我

    最好

    Dimitri

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    您好 Dimitri、  

    感谢您的回答。  

    [引用 USER="Dimitri James"]我们没有进行计算,但一位同事使用肖特基二极管做了一项研究,以保护栅极驱动器本身不受振铃影响,峰值电流能力的规格应该是1A,额定电压应该至少设置为超过 VDD-VEE。[/QUESP]
    与上述有关:
    HV 二极管的结电容应比消隐电容器的电容小多少? 根据我的最小消隐电容器27pF、我发现市场上可用的 HV 二极管的范围约为5-20pF。 我仍在寻找其他此类 HV 二极管。 我目前正在考虑将消隐电容器增加到大约100pF、以满足 dV/dt 要求。 了解 HV 二极管电容必须小于消隐电容的大小将有助于实现目的。 我本来可以使用 EVM 设计定义基准、但使用的 HV 二极管 e2e.ti.com/.../STTH112-_2D00_-STM.pdf 未指定结电容。  

    此外、我还能够计算 IGBT 关断可能导致的总 dV/dt。 由于、HV 二极管和串联的消隐电容器构成分压器。 该 dV/dt 将衰减一个系数。 因此、我想知道在衰减后是否可以在 DESAT 引脚上关联该 dV/dt、以便为肖特基二极管选择合适的规格。 请告诉我、这是否是用于确定肖特基二极管持续电流大小的方法。

    [引用 user="Dimitri James"]这是一个原因,这就是为什么肖特基与齐纳二极管一起被用在//上,并与 COM/IGBT 发射器绑定,以防止 DESAT 低于 com。[/quot]
    根据我的产品研究、我发现肖特基二极管的电容与我计算的最小消隐电容没有太大差异。 我的最小消隐电容约为27pF。 我见过的一些肖特基二极管也有大约27pF 的电容。 因此、当您说肖特基二极管和两个齐纳二极管将与消隐电容器并联时、我认为在计算消隐时间时、我需要考虑这两个器件的结电容以及我选择的消隐电容器? 我在迄今为止能够访问的任何资源中都没有看到这一点。 是德州仪器在测试 EVM 和栅极驱动器时所做的任何此类观察。  

    [引用 user="Dimitri James"]此外、如果您需要更高精度的 UCC217xx 系列中具有 OC 引脚的其他器件、则可以选择任意的 DESAT 电压并使用电阻分压器进行设置。
    我将立即探讨这一选择。

    另外,我相信你错过了7月7日下午5时48分(就在你答复的我的上一封信之前)的一项询问。 请仔细检查并提供您的输入。

    谢谢!

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    苛刻、

    感谢您的再次光临。 这实际上是我想问的,但现在这是清楚的。 但是,存在一个后续问题。 以比肖特基+肖特基更有利的方式使用肖特基+齐纳二极管、原因如下:

    无论哪种方式、都不会有很大的好处。 如果 VDD 接近支持的最大值、则可以使用齐纳二极管、最好使用齐纳二极管。

    [引用 user ="Harsh Songara"] HV 二极管的结电容应比消隐电容器的电容小多少?

    我们对此没有任何指导。

    [引用 user="Harsh Songara">根据我的产品研究、我发现肖特基二极管的电容与我计算的最小消隐电容没有太大差异。 我的最小消隐电容约为27pF。 我见过的一些肖特基二极管也有大约27pF 的电容。 因此、当您说肖特基二极管和两个齐纳二极管将与消隐电容器并联时、我认为在计算消隐时间时、我需要考虑这两个器件的结电容以及我选择的消隐电容器? 我在迄今为止能够访问的任何资源中都没有看到这一点。 是德州仪器在测试 EVM 和栅极驱动器时所做的任何此类观察。  [/报价]

    当然、电容将受到去饱和引脚上悬挂的二极管以及许多其他因素的影响、但在我们自己的文档中、我们从未建议考虑齐纳二极管或肖特基二极管的电容影响、 我想我们对此没有任何研究。 由于它们与消隐的顺序相同、因此您可以考虑齐纳/肖特基二极管在反向偏置时的电容、其精度更高。 无论如何、二极管电容器也是非常非线性的、甚至还有其他变量需要考虑。 它仍然永远不会像您的计算那样准确。 消隐时间应按您计算的顺序、但绝不会与您计算的值完全相同。 很抱歉、我没有更多具体信息。

    [引用 user="Harsh Songara"]我将立即探索此选项。

    好的、如果您需要有关这些器件的更多信息、请告诉我。

    最好

    Dimitri

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    您好 Dimitri、

    如果我使用过流保护、那么我会使用 UCC21710-Q1、因为它具有内部钳位功能。 在浏览文档后、我的实现类型只能与 DESAT 一起打开、因为我没有 senseFET。  

    在应用信息中、详细说明了必须在外部创建电流源。 数据表中的一个是电阻分压器、而从我现在可以收集的数据来看、EVM 设计中的一个是使用 BJT 设计的电流源。 我正在考虑 BJT、但我不希望使我的设计变得复杂很多。 因此、考虑到温度和负载影响、电阻分压器方案是否足够可靠?

    此外、UCC21710-Q1的计算器不会指示 RDESAT 电阻器上的压降(我认为这是因为它会导致一个复杂的公式)。 无论如何、我将 IGBT 替换为 TINA 中的源极电压、并将二极管替换为接近 HV 二极管 VF 的二极管、然后评估电阻分压器中的电阻器。 这是一种方便的方法吗?

    此外、为了进行确认:
    (i)电阻分压器路径上的电阻器必须遵循什么顺序? 我采用了 b/w 5-15k 欧姆
    (ii)我已将12V 齐纳二极管替换为3V 齐纳二极管、因为最大 OC 引脚电压可能为6V。 尽管数据表中没有提到齐纳二极管的使用。 请告诉我,如果他有任何需要的话。

    谢谢你。

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    您好 Dimitri、

    只需添加到上一篇文章中、如果我选择在 UCC21750-Q1中使用 DESAT 保护而非在 UCC217xx-Q1中使用 OC 器件、我就意识到我将需要一个齐纳二极管来降低 V (DESAT、TRIGGER)。
    [引用 user="Dimitri James"]您可以看到 前面的一个主题在此处讨论此内容
    我在这里的消息中看到了附加的帖子。 这里的一个问题是、在发生关断事件后、电流可能会流经反向偏置 HV 二极管。 该反向电流必须流经齐纳二极管。 我们的目标是通过肖特基钳位到 COM 来灌入该电流。 因此、假设所有这些器件的额定电流都必须与该电流相应。  

    但是、在 EVM 中使用的组件中、HV 二极管 RS1MB-13-F 可处理高达200uA 的峰 值反向电流、而齐纳 MMSZ4683只能处理大约0.8uA 的峰值电流。 由于这是我们在这里讨论的已建立的 EVM、我在这里讨论的问题是不是什么问题? 我不能很清楚。  

    谢谢你

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    苛刻、

    让我检查一下、今晚稍后再回来!

    最好

    Dimitri

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    您好 Dimitri、

    您是否有机会查看最后两个问题?

    苛刻

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    苛刻、

    数据表中列出的齐纳电流规格不同列出的"反向"电流更类似于齐纳电压拐点所需的电流、其额定电流为500mW、接近于四分之一安直流、峰值电流能力将高得多。 我认为这只是针对齐纳二极管作为更多功率/保护器件的额定值的具体情况。

    对于 HV 二极管: 您应该关注的数字是正向峰值额定值、它大约为10安培(30A)、因此它的性能非常出色。

    您建议的200uA 电流是当器件反向偏置为其最大工作电压时流经器件的电流、这意味着 IGBT 的集电极电势比 VDESAT 高1000V+。 这不是您应该关注的数字、因为如果您的系统设计为能够不断地将电流推回二极管、则会发生故障。 您应该将 HV 二极管规格>规格为高于集电极预期的最大电压。 或者、您可以将两个串联放置。

    基本上、这些部件/额定值都可以!

    最好

    Dimitri

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    您好 Dimitri、

    [引用 user="Dimitri James">您建议的200uA 数字是当器件在最大工作电压反向偏置时流经器件的电流、这意味着 IGBT 的集电极电势比 VDESAT 高1000V+。 这不是您应该考虑的数字、因为如果您的系统设计为使您不断地将电流推回二极管、则会失败[/quot]
    我相信您在25°C 时检查了特性。 在较高的结温下、HV 二极管通过数十 uA。  


    电池组电压为150V。 加倍以针对过冲进行调节、我可以经历高达300V 的电压。 1000V 的30%、这是 HV 二极管的最大时钟电压。 假设由于 HV 二极管上持续脉冲、结温上升至85C。 然后、可以安全地假设二极管会让数十 uA 的电流通过自身。 而我的齐纳二极管无法获取它。

    此外、您能否检查先前询问的这些问题


    "如果我使用过流保护、那么我会使用 UCC21710-Q1 、因为它具有内部钳位功能。 在浏览文档后、我的实现类型只能与 DESAT 一起打开、因为我没有 senseFET。  

    在应用信息中、详细说明了必须在外部创建电流源。 数据表中的一个是电阻分压器、而从我现在可以收集的数据来看、EVM 设计中的一个是使用 BJT 设计的电流源。 我正在考虑 BJT、但我不希望使我的设计变得复杂很多。 因此、考虑到温度和负载影响、电阻分压器方案是否足够可靠?

     此外、UCC21710-Q1的计算 器不会指示 RDESAT 电阻器上的压降(我认为这是因为它会导致一个复杂的公式)。 无论如何、我将 IGBT 替换为 TINA 中的源极电压、并将二极管替换为接近 HV 二极管 VF 的二极管、然后评估电阻分压器中的电阻器。 这是一种方便的方法吗?

    此外、为了进行确认:
    (i)电阻分压器路径上的电阻器必须遵循什么顺序? 我采用了 b/w 5-15k 欧姆
    (ii)我已将12V 齐纳二极管替换为3V 齐纳二极管、因为最大 OC 引脚电压可能为6V。 尽管数据表中没有提到齐纳二极管的使用。 请告诉我、如果他需要他的话。"

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    苛刻、

    [引用 user="Harsh Songara">我相信您在25°C 时检查了特性。 在较高的结温下、HV 二极管通过数十 uA。  [/报价]

    [报价用户="Harsh Songara">我的电池组电压为150V。 加倍以针对过冲进行调节、我可以经历高达300V 的电压。 1000V 的30%、这是 HV 二极管的最大时钟电压。 假设由于 HV 二极管上持续脉冲、结温上升至85C。 然后、可以安全地假设二极管会让数十 uA 的电流通过自身。 而我的齐纳二极管无法获取它。[/quot]

    齐纳二极管可以处理任何通过 HV 二极管的反向泄漏、而不会出现任何问题。 不用担心。。。 对于某些正向/反向灌/拉大电流的应用、齐纳二极管甚至与输出端的外部栅极电阻器直接串联使用。

    [引用 user="Harsh Songara">在应用程序信息中,详细说明必须在外部创建当前源。 数据表中的一个是电阻分压器、而从我现在可以收集的数据来看、EVM 设计中的一个是使用 BJT 设计的电流源。 我正在考虑 BJT、但我不希望使我的设计变得复杂很多。 因此、电阻分压器方案是否足够可靠、可在考虑温度和负载影响的情况下使用?[/引述]

    如果您从 EVM 中引用此突出显示的电路、则不适用于 DESAT。 EVM 不会为 DESAT 实现 OC 引脚。 这是一个用于 OC 的电路、可用于在电阻器尾处进行测量时对分流电压进行信号调节(例如、对于开尔文/分离源器件)。

    如需更多信息、请查看我的同事对此 https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/p/813147/3010935#ucc217xx_ockelvin 的详细解释

    [引用 USER="Harsh Songara"](i)电阻分压器路径上的电阻器必须顺序是什么? 我采用了 b/w 5-15k 欧姆
    (ii)我已将12V 齐纳二极管替换为3V 齐纳二极管、因为最大 OC 引脚电压可能为6V。 尽管数据表中没有提到齐纳二极管的使用。 如果需要他的话,请告诉我。"[/QUERPLET]

    如果这些范围是单独的、那么您的范围应该很好 、只需确保通过您的电流/功率梯形电路是安全的、如果您的总线电压为150V、则我的指数是正确的、它将总共消耗大约1.5W 的功率、 这对于一串四分之一瓦电阻器来说应该很好。

    虽然没有在 OC 上使用过齐纳二极管,但我认为这不会造成任何伤害。 由于您通过分压器使电压下降太多、因此极不可能出现过压、或者如果确实发生过压、则意味着整个 PCB 可能已经烧坏了。

    如有任何问题、请告诉我

    最好
    Dimitri

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    此外、UCC21750 (DESAT 引脚)根本不需要任何外部充电电流源(内部)、也不需要具有 OC 引脚的该系列的其他成员、您可以遵循使用从 VDD 获取电流的电阻分压器的设计(实现方式如数据表中所示)

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Dimitri、谢谢。 我对上述问题的疑问很清楚。