[参考译文] UCC21750-Q1：与 DESAT 引脚相关的驱动器安全

您好、

我不确定您是否可以查看图片、因此我将引用数据表中的页面和相应的部分作为参考

第41页 、9.2.2.6过流和短路保护
3.第28-29页 ，8.3.5短路钳位


再次感谢您！

您好 Dimitri、

非常感谢您在这里的帮助！  
我将查看设计文件、如果有任何疑问、请返回您的评论！

谢谢你

您好 Dimitri、

首先、希望您能度过一个愉快的周末。

[引用 user="Dimitri James"]顺便说一句，我正在讨论您关于使用2个肖特基二极管(一个替换齐纳二极管)以及该肖特基连接到 VDD[/引用]的阴极的问题。

感谢您的再次光临。 这实际上是我想问的，但现在这是清楚的。 但是，存在一个后续问题。 以比肖特基+肖特基更有利的方式使用肖特基+齐纳二极管、原因如下：

• 这是数据表中提到的唯一解决方案
• 在线查看几个参考资料后、建议使用上述方法作为数据表
  
  

对於这些意见，我亦有几项质询。 这些建议如下：

1.

<1A for the schottyky [/quot]

为什么该电流必须专门小于1A？ 是否有任何计算可供我查看/访问？

2.[引用用户="Dimitri James"]肖特基之所以与齐纳钳位不完全相同，主要是为了防止耦合到 DESAT 引脚的任何噪声并将其降至零以下[/quot]

我对此进行了一些研究、我认为我确实理解了这里的概念。 从我读取 ISO5452-Q1数据表的记忆中、我记得 HV DESAT 二极管必须具有低反向电容、并且必须能够快速恢复。 由于 dV/dt 作为 HV 二极管和消隐电容器之间电容分压器的一部分进行耦合、因此电容非常重要。

因此、我认为必须选择肖特基二极管、这样、在以 COM 为基准的 DESAT 引脚上的 dV/dt 必须足够低、以便 DESAT 引脚不会被拉至低于 COM-0.3V。

如果我错了、请纠正我的问题。

如果这是正确的、我想向您展示一些基于我的设计参数的计算结果、但希望将它们保持在这个线程之外。 请告诉我如何在您方便的时候这样做。

3.为了根据 IGBT 的 VCE 更改 VDESAT 阈值，我是否可以使用 TI DESAT 其他应用中使用的齐纳二极管？

感谢您的帮助！！

您好 Dimitri、  

感谢您的回答。  

[引用 USER="Dimitri James"]我们没有进行计算，但一位同事使用肖特基二极管做了一项研究，以保护栅极驱动器本身不受振铃影响，峰值电流能力的规格应该是1A，额定电压应该至少设置为超过 VDD-VEE。[/QUESP]
与上述有关：
HV 二极管的结电容应比消隐电容器的电容小多少？ 根据我的最小消隐电容器27pF、我发现市场上可用的 HV 二极管的范围约为5-20pF。 我仍在寻找其他此类 HV 二极管。 我目前正在考虑将消隐电容器增加到大约100pF、以满足 dV/dt 要求。 了解 HV 二极管电容必须小于消隐电容的大小将有助于实现目的。 我本来可以使用 EVM 设计定义基准、但使用的 HV 二极管 e2e.ti.com/.../STTH112-_2D00_-STM.pdf 未指定结电容。  

此外、我还能够计算 IGBT 关断可能导致的总 dV/dt。 由于、HV 二极管和串联的消隐电容器构成分压器。 该 dV/dt 将衰减一个系数。 因此、我想知道在衰减后是否可以在 DESAT 引脚上关联该 dV/dt、以便为肖特基二极管选择合适的规格。 请告诉我、这是否是用于确定肖特基二极管持续电流大小的方法。

[引用 user="Dimitri James"]这是一个原因，这就是为什么肖特基与齐纳二极管一起被用在//上，并与 COM/IGBT 发射器绑定，以防止 DESAT 低于 com。[/quot]
根据我的产品研究、我发现肖特基二极管的电容与我计算的最小消隐电容没有太大差异。 我的最小消隐电容约为27pF。 我见过的一些肖特基二极管也有大约27pF 的电容。 因此、当您说肖特基二极管和两个齐纳二极管将与消隐电容器并联时、我认为在计算消隐时间时、我需要考虑这两个器件的结电容以及我选择的消隐电容器？ 我在迄今为止能够访问的任何资源中都没有看到这一点。 是德州仪器在测试 EVM 和栅极驱动器时所做的任何此类观察。  

[引用 user="Dimitri James"]此外、如果您需要更高精度的 UCC217xx 系列中具有 OC 引脚的其他器件、则可以选择任意的 DESAT 电压并使用电阻分压器进行设置。
我将立即探讨这一选择。

另外，我相信你错过了7月7日下午5时48分(就在你答复的我的上一封信之前)的一项询问。 请仔细检查并提供您的输入。

谢谢！

您好 Dimitri、

如果我使用过流保护、那么我会使用 UCC21710-Q1、因为它具有内部钳位功能。 在浏览文档后、我的实现类型只能与 DESAT 一起打开、因为我没有 senseFET。  

在应用信息中、详细说明了必须在外部创建电流源。 数据表中的一个是电阻分压器、而从我现在可以收集的数据来看、EVM 设计中的一个是使用 BJT 设计的电流源。 我正在考虑 BJT、但我不希望使我的设计变得复杂很多。 因此、考虑到温度和负载影响、电阻分压器方案是否足够可靠？

此外、UCC21710-Q1的计算器不会指示 RDESAT 电阻器上的压降(我认为这是因为它会导致一个复杂的公式)。 无论如何、我将 IGBT 替换为 TINA 中的源极电压、并将二极管替换为接近 HV 二极管 VF 的二极管、然后评估电阻分压器中的电阻器。 这是一种方便的方法吗？

此外、为了进行确认：
(i)电阻分压器路径上的电阻器必须遵循什么顺序？ 我采用了 b/w 5-15k 欧姆
(ii)我已将12V 齐纳二极管替换为3V 齐纳二极管、因为最大 OC 引脚电压可能为6V。 尽管数据表中没有提到齐纳二极管的使用。 请告诉我，如果他有任何需要的话。

谢谢你。

您好 Dimitri、

只需添加到上一篇文章中、如果我选择在 UCC21750-Q1中使用 DESAT 保护而非在 UCC217xx-Q1中使用 OC 器件、我就意识到我将需要一个齐纳二极管来降低 V (DESAT、TRIGGER)。
[引用 user="Dimitri James"]您可以看到 前面的一个主题在此处讨论此内容
我在这里的消息中看到了附加的帖子。 这里的一个问题是、在发生关断事件后、电流可能会流经反向偏置 HV 二极管。 该反向电流必须流经齐纳二极管。 我们的目标是通过肖特基钳位到 COM 来灌入该电流。 因此、假设所有这些器件的额定电流都必须与该电流相应。  

但是、在 EVM 中使用的组件中、HV 二极管 RS1MB-13-F 可处理高达200uA 的峰 值反向电流、而齐纳 MMSZ4683只能处理大约0.8uA 的峰值电流。 由于这是我们在这里讨论的已建立的 EVM、我在这里讨论的问题是不是什么问题？ 我不能很清楚。  

谢谢你

苛刻、

让我检查一下、今晚稍后再回来！

最好

Dimitri

您好 Dimitri、

您是否有机会查看最后两个问题？

苛刻

您好 Dimitri、

[引用 user="Dimitri James">您建议的200uA 数字是当器件在最大工作电压反向偏置时流经器件的电流、这意味着 IGBT 的集电极电势比 VDESAT 高1000V+。 这不是您应该考虑的数字、因为如果您的系统设计为使您不断地将电流推回二极管、则会失败[/quot]
我相信您在25°C 时检查了特性。 在较高的结温下、HV 二极管通过数十 uA。  


电池组电压为150V。 加倍以针对过冲进行调节、我可以经历高达300V 的电压。 1000V 的30%、这是 HV 二极管的最大时钟电压。 假设由于 HV 二极管上持续脉冲、结温上升至85C。 然后、可以安全地假设二极管会让数十 uA 的电流通过自身。 而我的齐纳二极管无法获取它。

此外、您能否检查先前询问的这些问题


"如果我使用过流保护、那么我会使用 UCC21710-Q1 、因为它具有内部钳位功能。 在浏览文档后、我的实现类型只能与 DESAT 一起打开、因为我没有 senseFET。  

在应用信息中、详细说明了必须在外部创建电流源。 数据表中的一个是电阻分压器、而从我现在可以收集的数据来看、EVM 设计中的一个是使用 BJT 设计的电流源。 我正在考虑 BJT、但我不希望使我的设计变得复杂很多。 因此、考虑到温度和负载影响、电阻分压器方案是否足够可靠？

 此外、UCC21710-Q1的计算 器不会指示 RDESAT 电阻器上的压降(我认为这是因为它会导致一个复杂的公式)。 无论如何、我将 IGBT 替换为 TINA 中的源极电压、并将二极管替换为接近 HV 二极管 VF 的二极管、然后评估电阻分压器中的电阻器。 这是一种方便的方法吗？

此外、为了进行确认：
(i)电阻分压器路径上的电阻器必须遵循什么顺序？ 我采用了 b/w 5-15k 欧姆
(ii)我已将12V 齐纳二极管替换为3V 齐纳二极管、因为最大 OC 引脚电压可能为6V。 尽管数据表中没有提到齐纳二极管的使用。 请告诉我、如果他需要他的话。"

您好 Dimitri、谢谢。 我对上述问题的疑问很清楚。