This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/923132/ucc28780-simulation-puzzle-for-acf-simplise
我获得了 UCC28780 (Simplise)使用的带 GaN 的 ACF 版本。
相关结果如下：
我将回答以下问题：
1) 1)什么是 QH 关闭条件？ 当编解码电流为零时？ 或者只有我到达了(-)？
2) 2)根据仿真结果、QH 闭合电流不为零。 那么 QH 不是 ZCS？ 它与我们的设计不同。
3) 3)次级二极管导通电流也不是 n*Ipri？ 有多少电流流向钳位电流？
4) 4)当 QH 闭合时、次级电流不为零。 那么次级二极管 不是 ZCS？ 电流下降斜率也很奇怪。
我从仿真结果中得到结果。 它是真实的波形、还是与现实有很大不同？
请帮我解决问题吗？
尊敬的 TI 团队：
您能帮我解决这些难题吗？
您好 Fleming、
感谢您关注 UCC28780 ACF 控制器。
您的问题的答案是：
当达到特定大容量电压条件下的适当 Im (-)电平时、QH 关闭(关闭)。 内部调谐器电路调节此电平、并延长或收缩 PWMH 导通时间、以匹配 ZVS 的条件。
否、QH 不在 ZCS 中运行。
是的、一些 Ipri 电流会流入钳位电容器、一些电流会转移到输出整流器的寄生电容(MOSFET 中的输出电容、二极管中的 CJ)。 因此，ISEC 的测量峰值不能= n*Ipri。
在该仿真中、次级电流不是零。 这会导致输出整流器中出现非 ZCS。 对于二极管整流器、这不是一个大问题、除了反向恢复(如果有)。 对于 SR-MOSFET、这种情况可能具有高损耗、如果 QL 立即开启、则可能会击穿。 通常应避免输出整流器中的非 ZCS。 电流下降不是传统的直线反激式斜率。 在 ACF 中、该电流是正弦波形的一部分。 在该仿真中、谐振电容器过大、因此谐振波形具有低频率、使其看起来像奇怪的曲线斜率。
您所拥有的仿真波形基本上非常接近现实、但实际波形通常具有更多的噪声和振铃。 由于 ACF 拓扑使用寄生电感和电容来回收能量、因此当 MOSFET 模型不准确反映高非线性输出电容曲线与 VDS 时、可能会发生一些与现实不符的情况。
此致、 Ulrich
尊敬的 Ulrich：
非常感谢您的回答。
我仍然漂移、二次侧二极管是 ZCS、还是实际设计中没有。 在仿真中、它不是 ZCS。 那么、在实际产品中、它是 ZCS 吗？ 我们如何避免次级二极管中的非 ZCS？
此致
弗莱明
在实际设计和仿真中、通过选择特定组件、次级二极管电流可被整形为 ZCS 或非 ZCS。
在您的仿真中、我提到钳位电容器值显然过高。 如果减小该值、次级电流将达到更高的峰值、并更快地谐振、并且看起来呈正弦波。 可以选择该电容值来实现 ZCS。 真实世界将跟随仿真。
注意： 有时、始终使用 ZCS 可能是一个缺点。 在某些情况下、具有一些次级电流的非 ZCS 是有利的。 由于 QH 在高压线路上的导通时间较长(以增加 Im (-))、因此当 QH 在较短时间内导通时、高压线路上的调整 C_CLAMP 可能仍在低压线路上具有非 ZCS。 为了在所有条件下实现二次侧 ZCS、必须在最低线路输入条件下选择 C_CLAMP。 它将始终在整个线路范围内具有 ZCS。 但是... 峰值和 rms 更高、因此电阻损耗更高。
有时、如果将 ZCS 设置为在 QH 在230VAC 输入时关断时发生、则可以通过更低的 rms (效率更高)实现更好的损耗平衡。 低压线路上将会出现非 ZCS、但更低的磁芯损耗和 rms 损耗 可以抵消整流器的非 ZCS 开关损耗。
这不容易"书面"量化、应在原型评估期间进行优化。 但仿真可以让您很好地了解实际 电路中给定组件值集的波形。
此致、
Ulrich
。
感谢您详细介绍。
我现在有了这个概念。
再次感谢。
