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[参考译文] LMG1020：驱动 MOSFET

admin
Guru**** 2582405 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1020

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/921174/lmg1020-drivering-the-mosfet

器件型号：LMG1020

您好！

  我想使用1020驱动功率 MOSFET，您能确认 MOS 驱动器是否可以驱动附件 MOSFET？

  仅我计算驱动器电流？（1020驱动器电流> i=Qg/TR+Ton)

  e2e.ti.com/.../2021.ONSM_2D00_S_2D00_A0001842162_2D00_1.pdf 

  

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    TI__Guru**** 2582405 points
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    您好、Suy、

    感谢您与 lmg1020取得联系。

    1020可用于驱动 MOSFET 或 GaN FET。 它能够在350ps 上升时间内提供7A 峰值拉电流、并能在类似快速下降时间内提供5A 峰值灌电流。

    用于切换栅极的平均栅极驱动电流为 IG (avg)= Qg x Fsw

    请告诉我这是否有助于回答您的问题或您有任何其他问题。

    谢谢、

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    TI__Guru**** 2582405 points
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    尊敬的 Jeff：

      感谢您的回答。

      我注意到您提到的平均电流，、但1020给出了峰值电流，我如何控制 1020的平均电流。

      （？，MOSFET，如果在1MHz、Vgs = 5V、IG = 90nC * 1MHz = 90mA，如果我想使用1020驱动此 MOS），I 必须将占空比设置为小于0.013 μ A DC≤90mA/7A = 0.013 μ A AM I RIGHT

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    TI__Guru**** 2582405 points
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    感谢 Suy 的更新、

    您需要测量1020的峰值电流来计算平均电流(这应该与上一帖子中的 IG 计算类似。

    栅极充电后、栅极驱动电流不需要除漏电之外的任何其他电流、即可保持栅极充电。

    最大占空比还取决于 VDD 电容值和栅极泄漏。 如果没有栅源极电阻器、并且发生的泄漏极小、则可以实现超过50%的占空比。 确保您的系统有足够的1020 VDD 电容、以使栅极保持充电状态。

    这是否有助于您回答问题？

    如果您有任何其他问题、请告诉我。

    谢谢、

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    TI__Guru**** 2582405 points
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    您好 Jeff，

     很抱歉、我仍然无法理解您的意思。

     您的第一个回复说、我可以通过计算平均电流来确认1020是否可以驱动 MOSFET、但1020仅提供瞬时电流。 您不需要知道1020的平均电流输出来判断它是否可以驱动 MOSFET？  或者、MOSFET 传递 MOS 驱动器提供的电流所需的平均电流、我的计算方法是否正确？

    谢谢！

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    TI__Guru**** 2582405 points
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    您好、Suy、感谢您的更新。

    您需要知道要保持在结温以下的平均电流。 但是、这是 PCB 和1020封装损耗的函数。

    1020使用峰值电流通过计算 tr = Qg / IPEAK 来实现快速上升时间

    您的平均电流计算方法是正确的、但占空比取决于许多因素。

    谢谢、

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    TI__Guru**** 2582405 points
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    Jeff，

      我现在明白了、非常感谢