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[参考译文] CSD17581Q5A：合适的器件

admin
Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17382F4, CSD25485F5
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/919088/csd17581q5a-suitable-part

器件型号：CSD17581Q5A
主题中讨论的其他器件：CSD17382F4、 CSD25485F5

尊敬的团队：

这是来自台达塔队的 Kevin。

请推荐合适的 P 和 N MOS、它们目前正在使用 DMN3065LW 和 DMP3056LSD

MOSFET (P 沟道、N 沟道)至少需要满足
1.Vd=30V
2.VGS=+/-20V
3.ID=50mA
封装为 SOT23
5. RDS (on)的变化曲线与 N 和 P MOS 的温度相同
6.体二极管正向电压和 N 及 P MOS 温度的变化曲线相同

BR

Kevin

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    TI__Guru**** 657930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kevin：

    感谢您向客户推广 TI FET。 我们不制造任何30V P 沟道 FET。 我们的电压仅达到20V。 此外、我们不为 N 沟道或 P 沟道器件提供 SOT23封装。 考虑到这一点、我建议将 CSD17382F4 FemtoFET 用于 N 通道器件。 对于 P 沟道器件、我建议使用 CSD25485F5 FemtoFET、这是一个20V 的器件(而不是30V)。