您好！
我们正在测试我们的设计。 测试期间硬件失败。 电池组上的受控短路测试期间、一个(两个中的一个) MOSFET 出现故障。 栅极、源极和漏极都短接在一起。
我们 使用两个并联的 NVMFS6H824NT1G (Q4和 Q5)。 移除损坏的 MOSFET (Q4)后、我们可以再次控制输出、因此 BQ76200看起来不会损坏。 我们将 BQ76200与 BQ76940和 BQ78350结合使用。 这是我们使用的配置文件： https://jasa8.dyndns.org/s/WtfRwn59DjbqS39
可能过流会使 MOSFET 死机、但我想他们应该能够为 µs 的几个猎头处理它？ 我们的超时是长还是应该降低 treshold？ 或者问题是否与其他问题相关？
此致、
1月
您好、Matt、
这个帖子非常有用！ 我确实有一些后续问题、我们已略微修改了电路(=>将 R76更新为2kOhm)。 由于我们注意到过载测试(40A)期间的转速出现高达100V 的高尖峰、因此增加电阻可提供更好的关断曲线。 我们测试了高达65A 的电流。 您可以在此处看到结果：
深蓝色：电池电压
浅蓝色：电流(感应电阻器上的电阻为1m Ω)
紫色：栅极电压
黄色(主要位于深蓝色后面)：电池组输出电压
但是、在使用该设置测试短路时、MOSFET 会发生故障。
黄色信号似乎表示 MOSFET 正在关闭、因为电池组末端附近的电压正在下降、但随后再次上升至18V。 您是否对导致此问题的原因有任何见解？ MOSFET 在短路状态下发生故障。 我在漏极上看不到高电压尖峰。
此致、
1月
您好、Matt、
我做了更多的测试。
我再次降低了电阻、并进行了更多测量。
高达80A 的保护工作电流(AOLD 和 ASCD)。
在78A 进行 AOLD 测试。 (颜色与之前相同=>通过电路的电流接近100A)。 结果与以前没有太大不同、但在短时间内、负电流流动(在关断结束时)。
在56A 和70µs Ω 条件下进行 ASCD 测试。
测试真实短路=>阻尼现在稍好一些(振荡更少)、您可以看到短路电流下降(浅蓝色=>与之前的帖子不同刻度、因此信息可能已经丢失)。 但在突然的时候、它失败了。
放大下降电流：
您可以在这里看到电流突然下降到-70A、这是由于 MOSFET 发生故障后的电感效应吗？
明天、我可以使用较小的电容器进行测试(在浏览数据表时必须是一个读取错误)。
此致、
1月
您好、Matt、
我完成了两项新测试：
一个带有推荐电容器
一个具有推荐电容器、4个 MOSFET 并联、而不是两个。
两项测试均失败、但现在的关闭时间更快。
我只有第二个 ASCD 测试的图像。
这是其中一个 MOSFET 发生故障的时刻。
我还做了一些其他的 AOLD 测试、您可以看到电流检测上有很多噪声(也可以在电池组输出上看到)。
高达100A 的 AOLD 测试没有问题、但 ASCD 不工作(ISC 约为600A。
您是否有任何其他建议来检查、测量... 我应该有更多 MOSFET 吗？ 不过、我认为4个应该足够了...
此致、
1月
我还注意到电池组输出电压(MOSFET 的输出略微为负)：
在第二张图片中、我添加了一条线来指示零。 (-2和-4V 之间)
或者、您是否认为我没有掌握 MOSFET 出现故障的时刻。
您好、Matt、
我已将电荷泵电容器增加到940nF、我的类型 MOSFET 为2.5nF、我已用于此测试8个 MOSFET (在精装 PCB 上、但仍然非常接近 BMS PCB ~3cm、因此应该可以)。 8个 MOSFET 应该足够用于短路测试。 但测试仍然失败。
ASCD = 67mV (/A)、70µs Ω；总 ISCD =~600A。
我注意到关断时间有点慢、但我认为这不是那么剧烈？ 我不知道为什么它在~230µs 之后失败了。 之前的 SCD 测试比之前(~160µs)的测试稍快一点失败。
此时我不知道这可能是什么原因。 我是否可以通过某种方式获得其他支持来解决此问题？
我对 ASCD 67A 70µs 进行了一次成功的测试、该测试具有受控负载和120A-150A 的放电流、测试成功：
此致、
1月
您好、Terry、
黄色= P+
紫色=栅极放电(在滤波器之前)
深蓝色= B+
蓝色= VSense
GND 探头连接到 Vsense (B-)而非 P-。
您可以在右上方看到感应电阻器、在右下方看到高侧开关。 电源布线应尽可能短。 但对于测试设置、电池 b-和 b+都具有20cm 的长度(BMS =>电池组和 BMS 的导线分开)。 目前我没有测试设置的照片。
默认情况下、PCB 具有2个 MOSFET。 负载(短路)连接到螺纹接线端子(也包括一些导线)。 确实可能会发生压降。 我必须更详细地检查结果。 但这里有一些照片可以让您了解布局。
此致、
1月
您好、Terry 和 Matt、
我已经拍摄了一些我的设置图片(请参阅下面以及我的帖子末尾的内容)：
如您所见、接地线夹连接到 BMS 上的 B-上、而连接到 P- A 探针上、以测量检测电阻器上的电压。 在左侧(螺柱)是 P+、则有空间容纳一些 MOSFET。 但是、为了测试更高电流的设置、我添加了一个外部板。 然后是 B+。 BMS 之间的导线接近20cm 和2.5mm² Ω、仅用于轻松更换 SC 测试中损坏的元件。
P+上确实存在2-3V 的负电压。 但我不能确定负电压的原因是什么。
过载电流为120A (保护设置为33A、320ms)的测试用例。
黄色是 P+(放大后)、您可以看到、即使在这种情况下也存在负电压。 (淡蓝色上的噪音并不总是存在)。
我还测量了从 B- BMS (GND 夹)到 B-电池组(探针)的导线的压降
在过载期间、它按预期为负(600mV)、但在关断时、这会峰值为正值... 这也是我在 P+变为负时看到的吗？ 这是否与我在测试设置中使用的导线有关？
已执行测量的设置：
我的设置的一些其他照片：
我还没有完成新的 SC 测试、因为我正在尝试更清楚地了解负 P+电压。 因为它看起来与地形有关。 栅极激励电压为2-3V、这可能会增加截止时间。
此致、
1月
您好、Matt、
正如在电池组介于-2V 和-5V 之间之前所注意到的(对于 SC)。 但 DSG 引脚需要一段时间才能达到0V。 这意味着 Vgs 接近4V。
(紫色= Vdsg、黄色= P+、浅蓝色= P-/电流感测)
在本例中、深蓝色线是在靠近 BQ76200的位置测得的 GND。 当触发发生时、它具有(-) 1V 峰值的纹波。
我想知道这是否有助于... 然而、DSG 引脚至少应该下降至0V、而无需这个电路的帮助。
但是、根据我的计算、如果我假设 D7上的压降接近0.4V 且 Vgsth 为1.4V、那么我至少需要-1.8V 的负电压。 它位于边缘。 您是否有 改进建议？
此致、
1月
您好、Matt、
我已经完成了更多的测试。
1)我已经使用了不同的 MOSFET、这是一次成功(使用4个、3个和2个 MOSFET 进行了测试)： AOB290L (请参阅下面的屏幕提示)。 我可以注意到、原始 MOSFET 和这两者之间的主要差异是、其类型具有更好的 SOA (安全工作区)和稍高的 Vgs (th)。
2) 2)我再次使用原始 MOSFET (8个并联)进行了测试、并在此处添加了一个发电机二极管： 
使栅极电压更接近 P+(当它变为负值时)。 由于某种原因、此设置有效、但我无法测量栅极电压的大差异(请参阅下面的屏幕截图)：
在第一个屏幕截图中、深蓝色探针是 B+电压、紫色探针是铁氧体磁珠的栅极电压。
在上一个屏幕截图中、深蓝色探针是铁氧体磁珠的栅极电压、紫色探针是生成二极管之前的栅极电压。
我本来希望深蓝色线和黄色线会更近一些、但仍然是2到4V 的距离。 但不知怎么说、该设置可以正常工作。
以下是 MOSFET 发生故障的前几次测量的两个屏幕截图：
我想、通过添加发电机二极管、我已经改变了一些东西、但不完全是我想要改变的、但不知怎么说、它是可行的。
我可以得出这样的结论：
1)其他 MOSFET 可能会承受、因为它们具有更高的 SOA 曲线和更高的 Vgsth、并且需要更高的(更大的负电压才能导通)
2) 2)篡改栅极信号后、我稍微改变了原始 MOSFET 上的 Vgsth、使其保持更好的关断状态。
3) 3)因此、负电压可能是其杀死 MOSFET 的原因、因为它仍然导电一点。
现在的问题是、我如何确保栅极遵循稍微负的电压、以便它将持续阻断电流。 因为我可能无法消除负电压。 您是否有关于如何强制它与 P+处于同一级别的建议？
我还需要尝试下面的电路、但我很担心、由于 P+ 只是轻微 的负值、因此这种情况的导通电压太大。
来回答您有关短路测试仪的问题。 测试仪的文档非常有限、但它似乎是某种类型的大继电器、如果它发生故障、则继电器会在1秒后打开。 所有电感部件都只是来自电池组和测试仪的电缆。
此致、
1月
您好、Terry、
我已经缩短了导线长度、以减少电感效应。 只要我确信 MOSFET 能够应对这种情况、BMS 就会直接安装在电池组上。
我不认为我应该增加电阻。 我已经测试了我之前想要测试的电路。 从而使栅极更好地关断。
现在、它会破坏 SC (111A、100µs)。 关断时间现在约为15µs μ s。 但 BAT+上的电压现在浪涌高达80V、P+降至-30V。
我也用200A、100µs 测试过这个、但在这里它再次失败。 我认为关断时间现在很短、因为 MOSFET 的路径中没有电阻器、这会导致 MOSFET 快速关断。 但是、故障不是 MOSFET、而是二极管 D1爆炸、我的电源也发生了故障、为其他器件供电。 我不确定当 VP+降至0以下或由于电压尖峰、二极管是否会爆炸以消耗所有电流... 我认为电源由于电压尖峰而出现故障。 我将在该路径中添加一个电阻器、以稍微减慢关断序列。
在进行此测试之前、我认为栅极不够低、不足以使其完全保持、从而降低了电感效应=>非常慢的关断。 但现在它很快关闭、从而导致电路的其他部分死亡。
欢迎提出建议。
此致、
1月
您好、Terry 、Matt、
我认为我的问题已经解决
我的结论(最重要的解决方案以粗体显示)：
- MOSFET 的 SOA 非常重要(如果您有一些电感效应、甚至会更重要)
感应效应导致栅极略高于 VGS (TH)、但添加负保护电路可以部分抵消这一效应、这会在驱动为低电平时使栅极接近 VD+。
-需要正确的过滤器盖
如果您可以确认此电路适用于此应用、那就很好了(因为在应用手册中、此电路更突出以提供外部负电压保护、而在我的情况下、此负电压是短路和电感效应的原因)。
我将在电池组和 BMS 之间没有导线的情况下执行一系列测试。 我稍后将发布结果、然后将其标记为已解决。
此致、
1月
