[参考译文] UCC27211A：如果 VBUS=48V、哪种栅极驱动适合驱动高侧和低侧 MOS？

您好、Eggsy、
对于高侧驱动器的非 ISO 驱动器建议、有两种方法。
您始终可以仅使用高侧驱动器来使用 UCC27211A 类型驱动器。 只需将 LI 输入接地并使低侧驱动器输出保持开路或不使用。
如果您希望使用数字隔离器作为 ISO7720来隔离信号、则如果信号隔离器提供输入、则可以将 UCC27517低侧驱动器用作浮动高侧驱动器。 在这种情况下、使用 UCC53x0驱动器更有意义、因为它集成在一个更小的封装中。 应用手册 SLUA669A 提供了在高侧应用中使用低侧驱动器的指导。 应用手册可在以下位置找到： www.ti.com/.../slua669a.pdf

您好、Eggsy、
对于您提到的应用、为 HB 到 HS 偏置电容器充电以及在高侧导通时间内将 HB-HS 偏置保持2分钟会出现问题。
通常、高侧偏置由一个自举二极管从 VDD 到高侧驱动器偏置的供电、即 UCC27211A 上的 HB。 当低侧 MOSFET 导通时、动力总成开关节点和驱动器的 HS 引脚切换至接近于接地。 此时、HB-HS 电容器从 VDD 充电。 当高侧驱动器打开时、HB-HS 偏置相对于 HS 浮动、并允许高侧驱动器输出将 MOSFET 栅极驱动至高于 VIN 电压。 高侧驱动器的静态电流将在高侧 MOSFET 导通期间使 HB-HS 电容器放电、这在大多数应用中都不是问题
对于极长的高侧 MOSFET 导通时间、您需要使用隔离式浮动偏置来提供 HB-HS 偏置、从而在较长的导通时间内保持电容器充电。
SN6501是一款适用于 TI 提供的隔离式偏置的简单解决方案。 有关此器件的信息、请访问：
www.ti.com/.../sn6501.pdf
此外、您还提到了唯一可用的电压为48V 和24V。 对于驱动器偏置和 MOSFET 的 Vgs 限制、需要使用较低的可用电压以保持低于驱动器偏置和 MOSFET Vgs 限制。
请确认这是否能回答您的问题。
此致、
Richard Herring