[参考译文] UCC27211A：如果 VBUS=48V、哪种栅极驱动适合驱动高侧和低侧 MOS？

您好、Eggsy、

对于48V 输入转换器、大多数设计人员确实使用了100V-120V 半桥驱动器、例如 UCC27211A、UCC27201A 和 LM5101A、以驱动高侧和低侧 MOSFET。

我可以根据您的要求为单独的驱动器提供建议、但您能否提供客户为何需要单独的高侧和低侧驱动器的信息？

对于需要电平转换器输入的高侧驱动器、UCC53x0系列单输出隔离式驱动器将是一个不错的选择。 提供各种驱动强度版本、包括2A、5A 和10A。

对于低侧驱动器、UCC27517或 UCC27511是驱动强度为4A 至8A 的小型封装驱动器。

对于与 UCC27211驱动强度等效的器件、高侧的 UCC5350和低侧的 UCC27517是最接近驱动电流的器件。

请通过在主题绿色按钮上确认、确认这是否回答了您的问题。

此致、

Richard Herring

您好、Eggsy、
对于高侧驱动器的非 ISO 驱动器建议、有两种方法。
您始终可以仅使用高侧驱动器来使用 UCC27211A 类型驱动器。 只需将 LI 输入接地并使低侧驱动器输出保持开路或不使用。
如果您希望使用数字隔离器作为 ISO7720来隔离信号、则如果信号隔离器提供输入、则可以将 UCC27517低侧驱动器用作浮动高侧驱动器。 在这种情况下、使用 UCC53x0驱动器更有意义、因为它集成在一个更小的封装中。 应用手册 SLUA669A 提供了在高侧应用中使用低侧驱动器的指导。 应用手册可在以下位置找到： www.ti.com/.../slua669a.pdf

您好、Eggsy、
对于您提到的应用、为 HB 到 HS 偏置电容器充电以及在高侧导通时间内将 HB-HS 偏置保持2分钟会出现问题。
通常、高侧偏置由一个自举二极管从 VDD 到高侧驱动器偏置的供电、即 UCC27211A 上的 HB。 当低侧 MOSFET 导通时、动力总成开关节点和驱动器的 HS 引脚切换至接近于接地。 此时、HB-HS 电容器从 VDD 充电。 当高侧驱动器打开时、HB-HS 偏置相对于 HS 浮动、并允许高侧驱动器输出将 MOSFET 栅极驱动至高于 VIN 电压。 高侧驱动器的静态电流将在高侧 MOSFET 导通期间使 HB-HS 电容器放电、这在大多数应用中都不是问题
对于极长的高侧 MOSFET 导通时间、您需要使用隔离式浮动偏置来提供 HB-HS 偏置、从而在较长的导通时间内保持电容器充电。
SN6501是一款适用于 TI 提供的隔离式偏置的简单解决方案。 有关此器件的信息、请访问：
www.ti.com/.../sn6501.pdf
此外、您还提到了唯一可用的电压为48V 和24V。 对于驱动器偏置和 MOSFET 的 Vgs 限制、需要使用较低的可用电压以保持低于驱动器偏置和 MOSFET Vgs 限制。
请确认这是否能回答您的问题。
此致、
Richard Herring