This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] 2晶体管正向转换器 MOSFET 电压问题

Guru**** 2618835 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/764604/2-transistor-forward-converter-mosfet-voltage-question

您好!

我的问题是关于第11页图8波形 F 上的特定波形

1) 1)在上升沿上、是否由于串联的 MOSFET 结电容和建模的磁化电感而产生振铃? 能否解释一下为什么它会响?

2) 2)在波形 F 的末尾附近、电压从 Vdc 降至该值和 Vdc 基准之间的某个位置。 我知道它之所以下降、是因为磁化 电流通过使用输入电容器和二极管形成环路来复位初级内核、当该磁化电流达到零时、这是 FET 上的电压降压。 我只是不明白为什么它不会降低到直流基准电压? 为什么它介于 Vdc 和它的基准之间?

提前感谢您!

e2e.ti.com/.../01114a.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、

    随附的.pdf 文件是 Microchip 出版物。 有关您对本文档内容可能有的问题、请联系 Microchip。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    此问题与任何竞争对手的产品无关、因此我无法理解我的问题解释如何使 Microchip 优于 TI。 这些问题使电子行业受益、而不是让特定公司受益。 我将单独离开这里、但我很惊讶地看到了这一点。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好、

    我不确定您的问题是否属于通用问题、但我已将其转交给涵盖我们的前馈转换器的团队。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Jeff、

    感谢您重新研究这一问题。

    谢谢、
    将会
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Jeff、

    我还没有回复、可以帮些忙吗?

    将会
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好

    VDS 波形关断边沿顶部的振荡是由与开关节点振铃(由 MOSFET CD 主导)串联的泄漏电感引起的。

    一旦变压器中的电流衰减至0、那么功率级处于 DCM、 初级绕组上的电压可以自由地稳定、Vin 的一半是因为两个 FET 都关断、FET 的输出电容就像电容分压器、因此 Vin 在它们之间平均共享。

    我们只能提供有关 TI 器件型号的支持、但 TI 有一个电源设计库、您可以在其中找到有关电源设计的大量有用信息。

    此致

    Peter
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Peter、

    感谢您为我详细介绍了答案、我真的很感激!

    此致、

    将会