Other Parts Discussed in Thread: TPS1H100-Q1
您好!
我正在与客户合作对 TPS1H100-Q1的终端设备进行持续评估、并注意到该器件在过流保护和短路保护过程中产生了高热量。 对于该器件、我们 注意到自动重试周期大于200Hz、如果该频率是 高散热系数。 请注意、我们还评估了 TPS1H200、但没有看到这种情况。 请提供建议。 谢谢。
此致、
Leo
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Other Parts Discussed in Thread: TPS1H100-Q1
您好!
我正在与客户合作对 TPS1H100-Q1的终端设备进行持续评估、并注意到该器件在过流保护和短路保护过程中产生了高热量。 对于该器件、我们 注意到自动重试周期大于200Hz、如果该频率是 高散热系数。 请注意、我们还评估了 TPS1H200、但没有看到这种情况。 请提供建议。 谢谢。
此致、
Leo
您好!
自动重试周期取决于器件内部在过流和温度迟滞期间的功率损耗、典型值为10C。 热关断期间无法控制开关。 开/关时间仅取决于 TSD 和 TDS、rst 之间的温升和下降时间。 在过流和热 关断期间、200Hz 自动重试周期是正常现象。
可通过配置延迟引脚在过流期间控制 TPS1H200-Q1。 请查看数据表中的表1。 TPS1H200-Q1只是一个版本、具有用于故障报告的开漏故障引脚。 TPS1H100-Q1有2个版本 A 和 B。版本 B 有一个模拟输出 CS 引脚、持续监控负载电流。
TPS1H200-Q1典型导通电阻为200m Ω、TPS1H100-Q1典型导通电阻为100m Ω。
如果存在过流期间200Hz 周期的问题、则可以替换 TPS1H100-Q1 TPS1H200-Q1。 TPS1H200-Q1不具有持续电流监控功能、并且具有更高的导通电阻。
此致
您好!
我是测试 TPS1H100-Q1的人员、发现 该器件在过流保护或短路保护期间处于极高的高温(SHLD >100C)(环境温度~25C)。 我认为在这些保护模式下、热关断不会启动、从而导致器件温度 大幅升高。 我不关心200Hz 的自动重试、但热量是主要问题。
对于 TPS1H200-Q1、我选择自动重试配置、但由于自动重试频率为1Hz、因此器件根本不会感到任何热。
我是否可以知道 TI 为何在保护模式下设计如此高的重试频率?
BTW、thx、了解有关此加热问题的说明。