尊敬的
我们将 LM5067-1 (闭锁版本)用作热插拔控制器。 并联使用了两个功率 FET。
该电路现在开始出现质量乘积。 但在开/关测试中、两个并联 FET 中只有一个有时会死。 故障率为%而非 PPM。
开/关测试在3种不同的输入电压下进行、即最小、标称和最大输入电压。
标称直流输入电压为-48Vdc、尤其是 FET 故障主要发生在最高输入电压(-65Vdc)下。
输出负载似乎与 此故障无关。
FET P/N 低于...
第一家供应商：IRF100B201 (TO220AB、IR/Infineon)
第二家供应商：FDP036N10A (TO220、Fairchild/ONsemi)
两个 FET 装配有散热器。
您需要考虑的另一个信息是、此故障发生在特定的 FET 批次上。 其他具有其他制造厂的 FET 大部分都很好。
因此、客户现在排除了特定批次的 FET 并采用了其他批次。 我认为这只是一个临时措施。 此故障迟早会随着产量的增加而发生。
我研究了相关信息、最初我怀疑根本原因可能是 FET Vt 的差异
我参考了标题为"热插拔器件的可靠性问题"的文档
文档链接是... https://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1273013
但据我所知、包括 Vt 在内的 FET 规格没有很大差异 因此我不知道到底是什么问题- Vt 不平衡或低于/高于特定 Vt
现在、我尝试使用曲线示波器来测试 FET 的 VT。 但租用曲线跟踪器存在一些问题。 一旦我获得曲线示踪剂、我将进行测试并告知您其结果。
总之、您对此失败有何看法？
如果您需要客户电路(与热插拔电路相关)、请告诉我。
老实说、我是该项目的第三方。 有终端客户(全球通信设备公司)、中间客户、OEM 开发公司和我！)
为了公开共享详细的设计信息、需要客户许可。
谢谢
Michael
