[参考译文] BQ33100EVM-001：超级电容器学习过程

您好、Bryan、

我设置了 FC set%=1、但学习过程不会开始。

我正在附加.gg 文件以供您参考。

谢谢、

Grishmae2e.ti.com/.../600F_5F00_SC1.gg.txt

您好、Bryan、

电容1 K 系数为7385

覆盖标志= 9669

我正在尝试更改这些 值、但它显示" 不允许您输入的值、因为它会导致代码(十进制) 11除以零"

如何更改这些值？

实际施加的电压= 10809mV

报告的电压= 12547mV

StackVoltageKFactor = 24500。

我手动计算了5个单元格的 k 因子、并与.gg 文件数据进行了比较、但值不同。

阶梯电阻值为 R4 = 30.03k Ω、R5= 57.77k Ω、R6=123.89k Ω、R7= 9.342k Ω、几乎等于 数据表中给出的值。

电容1的电池电压与其他电容器的电压相似。

谢谢、

Grishma

您好、Bryan、

很抱歉耽误您的回答。

我的充电电压为12500mV、我将充电电压增加到15000mV、这会设置 CFET 和 CL 标志、充电也会开始。 由于这些显示 电流接近32A 的 SBS 窗口、并且 OCC 标志也被置位。

我将附上 SBS 窗口 屏幕截图供您参考。

根据我们的讨论、我还更改了电容器和 EVM、但无法执行学习过程。

谢谢、

Grishma

您好、Bryan、

我在上面的讨论中已经告诉过您、当我将电源电压增加到15V 时、发出命令0x0046以启用 FET 控制(CFET)、然后充电电路将电流接近32A、并且电容器的温度也 会增加。

只要 FET 控制不启动、我就无法执行学习过程、bqEVSW 会显示电容和 ESR 的参考值。

如果我将电源电压增加到15.5V、那么我也会面临相同的问题。

作为参考、我将附加日志文件和 gg 文件。

e2e.ti.com/.../test4_5F00_6m.txt

e2e.ti.com/.../Ex10_5F00_3march.log

我将使用5个电容器进行学习、并将一个电容器充电至 最大电压2.5 /节。 那么、应该为电路板提供多少最大电源电压？

谢谢、

Grishma

您好！

通过导入数据闪存 校准值、我使用 EVM 将 CC 增益和 CC 增量校准为10m Ω。 但是、当我发送命令 Read All 时、CC 增益、CC 增量、CC 偏移和 CC 死区 以红色显示。

此外、在数据表中、CC Δ 的默认值为280932.825m Ω。 我是否应该将其设置为默认值或等于您所说的10m Ω？  

我还将向您发送 gg 文件和校准屏幕的屏幕截图。

e2e.ti.com/.../test4_5F00_12march.txt

我按照上述讨论中提到的流程进行了操作。

通过发出命令0x0021来设置操作状态寄存器中的[CL]和[LTE]标志。 但我的电路板无法充电、电容器电压  持续下降。 为了启用 FETControl、我发出了 SBS 命令0x0046。 然后、该板是超级电容器的平坦充电板、但它需要大约32A 的大电流、还会设置[OCC]标志、并且 FET 的温度正在升高、这一点我在前面的讨论中已经提到过。 我将附上 SBS 命令的屏幕截图供您参考。

根据 数据表、为了成功学习过程、必须设置 CFET 标志、并且在电容器充电至 VlearnMax EVM 之前无法计算电容器的确切值。

我无法解决这些问题。 请指导我。

谢谢、

Grishma