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器件型号:BQ40Z80 尊敬的 TI 专家:
BQ40Z80数据表中指出、40V CHG MOSFET 就足够了、但对于 DSG、需要更高的电压 MOSFET。
60V MOSFET 具有比40V MOSFET 更高的 RDS。
在哪些情况下需要如此高的电压? 如果电池组的最大电压为25.2V、我可以使用40V 电压吗?
提前感谢您的帮助
此致
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BATT、
非常感谢你的帮助。 我确实删除了 C6。
好的、我忽略了200欧姆 FET 电阻。 因此、每个通道上的电流最大为14mA、这听起来更合理。
我不确定我是否了解该器件会增加到300欧姆。
我是否需要将外部电阻器(EVM 上的 R38-R43)增大到300欧姆、以便能够同时平衡所有通道?
这就是大功率应用的意思吗?
在较浅的注释中、正确的书写方式是什么?
BQ40Z80
BQ40z80
bq40z80
谢谢你
此致