[参考译文] BQ24780S：ACDRV 问题

您好 Bill、

Q1和 Q2是背对背输入保护 FET。

关于标准：
ACDRV 至 CMSRC 将设置为6V、这意味着这些 FET 不能太大、以至于它们不会在6V 栅源电压下完全导通。

此外、FET 不能过小、因此导通时间极短；这可能会创建从输入直接到电池的路径、因为电源路径选择的先断后合逻辑在很大程度上依赖于时间。 您还可以增加每个 FET 的栅极电阻和栅源极电容、以降低其速度。

最后、需要确保 FET 的 Rdson 不会太大、从而产生较大的导通损耗。

正如 Angelo 之前所述、在选择 FET 时、您可以使用 EVM Q1/Q2 FET、CSD17308Q3的 Ciss、RDSON、VGS 阈值、Rg 和 Qg 值进行比较。


此致、
Joel H

您好 Bill、

R3和 R4的用途是限制 ACDRV 和 CMSRC 引脚上的浪涌电流。 kΩ 其额定功率足够高、3k Ω 电阻器也应正常工作。

请查看以下对您有所帮助的相关主题： https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/690509

此致、

Angelo

您好 Bill、

电阻器值确实会影响 Q1/Q2导通/关断时间。 较大的电阻器将导致较慢的导通/关断时间。 我在上一个 kΩ kΩ 中的意思是、只要电阻器的额定功率足够、就可以使用3k Ω 电阻器而不是4k Ω 电阻器。

如 Joel 所述、您可以通过增大栅极电阻和/或增大栅源极电容来缩短 FET 的导通/关断时间。

此致、

Angelo

您好 Bill、

R3和 R4的 kΩ 是为了限制 ACDRV 和 CMSRC 引脚上的浪涌电流、因此我不建议将这些电阻值与数据表中给出的4.02 μ A 值进行太大的更改。

假设输入为20V、电阻器的功耗将为 P =(V^2)/R = 400/R 因此、较小的电阻器需要具有较高的额定功率。 这可能意味着您还需要使用更大的封装尺寸。

kΩ、一个4 kΩ 电阻器需要处理0.1W、而一个2 kΩ 电阻器需要处理0.2W。2电阻器需要使用更大的1206封装。

我是否可以询问您为何要更改 EVM 上使用的组件值？ 您正在尝试实现什么目标？

此致、

Angelo

您好 Bill、

您之前提到了 Q = CV =它、这提供了一些有关如何调整打开/关闭时间的线索。 以下是您可以尝试的主要方法：

1) 1)更改栅源极电容。 较大的 CGS 会导致较慢的导通/关断速度。

2) 2)更改栅极电阻。 较大的 Rg 会导致较慢的导通/关断速度。

3) 3)使用具有不同栅极电荷的 FET。 较高的 Qg 会导致较慢的导通/关断速度。

但是、我们通常建议坚持使用 EVM 中使用的组件值。 这是我们在上进行测试和验证的电路、因此我们可以确保器件能够与这些组件值一起正常工作。

此致、

Angelo