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器件型号：TPS2412 主题中讨论的其他器件： MSP430FR5969
您好！
随附了我的原理图。
问题1：
根据第8.3.6节 、TI 建议使用 Ciss 为1nF 或更高的 FET。 我指的是三个要点中的第一个。 我的负载非常轻、因此我使用 的是 PMPB215ENEA N 沟道 FET。 其 Ciss 为~215pF。 为了确保 TPS2412稳定并通过该 FET 正确运行、我应该怎么做？
问题2：
根据第8.3.6节中的第二个要点、每个 TPS2412电路是否需要100uF 陶瓷输出电容？ 我想知道我是否需要添加这个值、因为我的负载非常轻(基本上是 MSP430FR5969和一些外设数字电路)。 现在、我的输出为4.7 uF、根据数据表中的这条陈述、该输出已关闭。
我所指数据表中项目符号的屏幕截图。
