我们将在电路板上测试 TPS26625DRC。 器件烧毁-短路保护故障。 我们采取折返步骤:
1.输入电压30V。接通电路板。 SHDN -高电平、OUT 为30V
2.在 OUT 和接地之间连接手动开关和3.3欧姆或更低电阻。
3.切换开关->设备烧坏。
如果我们使用比6.8 Ω 更高的电阻、则器件正常工作。
如果我们使用 MOSFET 进行开关(斜升时间为10us 或更长时间),则器件工作正常。
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我们将在电路板上测试 TPS26625DRC。 器件烧毁-短路保护故障。 我们采取折返步骤:
1.输入电压30V。接通电路板。 SHDN -高电平、OUT 为30V
2.在 OUT 和接地之间连接手动开关和3.3欧姆或更低电阻。
3.切换开关->设备烧坏。
如果我们使用比6.8 Ω 更高的电阻、则器件正常工作。
如果我们使用 MOSFET 进行开关(斜升时间为10us 或更长时间),则器件工作正常。
0.1uF/100V 电容和 OUT 引脚上的 SMAJ58A 可在4.5V 至 40V 的输入电压范围内保护器件
1uF/100V 电容和 OUT 引脚上的 SMAJ58A 可在4.5V 至60V 的输入电压范围内保护器件
SMAJ58A 可替换为节省空间的 PTVS58VS1UR - BOTHs 在4.5V - 60V 的 VIN 范围内工作良好
室温下的所有测试- aprox。 25°C。
对于 TI:在下一修订版中嵌入在器件中的晶体管/保护将非常好。