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[参考译文] ISO5452:隔离式栅极驱动设计。

Guru**** 2524460 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5452

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/794069/iso5452-isolated-gate-drive-design

器件型号:ISO5452

朋友们、您好!

我尝试通过安装在通用 PCB 上来测试 ISO5452。 我想在没有 IGBT 的情况下通过在 OUTH/OUTL 两端连接一个负载电容器进行测试。 负载电容值等于 IGBT 的输入电容。 我随附了原理图、如下所示。 在我们的应用中、用叉号标记的引脚保持悬空。

我想通过连接推荐的保护电路(如数据表中所述)和负载电阻器来检查去饱和保护。 请对此程序检查去饱和保护的可能性进行评论。

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    您好 Vedang、

    是的、您可以使用建议的电路、如图 数据表的55。

    您可以在图中找到 DESAT 的典型波形。 46.为了测试这些规格、您可以在以 GND2为基准的 DESAT 引脚上使用 AFE 或电压源。 首先、您可以通过以1ms 的增量将 DESAT 的电压从8V 增加到10V 来测量实际的 V (DESAT)阈值。 在执行此操作时、监视 nFLT 以确定哪个实际阈值电压将触发故障。 接下来、您可以通过逐渐将 DESAT 引脚上的电压增加到您测量的 V (DESAT)来找到从 DESAT 检测到 OUTH/L、TDS 的延迟。 然后、测量 OUTH/L 引脚以查看 STO 是否已激活。 在这两个测试中、IN+应该在3.3V 时保持高电平。

    如果您有其他问题、请联系我们。

    此致、
    Audrey
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    谢谢。 我将通过上述步骤检查性能、然后恢复。
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    尊敬的 Audrey:

    我已经将 ISO5452与 MOSFET 一起进行了测试。 原理图如下所示:-

    在正常开关操作期间、与电路中的 R32电阻器一起工作时、去饱和引脚上的电压相对于 MOSFET 源极为-7.9932V。 此外、在短路期间(通过旁路 R32电阻器)、去饱和引脚上相对于 MOSFET 源极的电压为-7.9V。

    实际上、根据数据表、去饱和引脚上的电压应该介于8.3至9.5V 之间。 但是、我具有负值、并且短路检测也不起作用。

    使用的去饱和二极管为 BY203-12S。 请对这一点进行评论。

    此致、

    Vedang

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    您好 Vedang、

    这是不寻常的。 根据您的图、DESAT 电路看起来确实正确。 您能否附加以源为基准的栅极电压测量波形图以及以源为基准的 DESAT 电压?

    此致、
    Audrey
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    尊敬的 Audrey:

    从我的终点来看,这是一个错误 观察到连接问题、结果 DESAT 显示电压不正确。

    但是、在更改连接后、我观察到以下结果:-

    在两个图像中、通道1和2分别对应于输出 PWM 和 DESAT 引脚。 我已附上2张图片-正常和短路情况。我无法识别 PWM 关断之间的短路时间。 请引导我检查整体保护时间。

    如果您有任何短路保护程序、请指明。

    谢谢、此致、

    Vedang

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    尊敬的 Audrey:

    我还需要用于通过更改去饱和二极管、串联电阻器、齐纳二极管等的数量来更改去饱和引脚 i.e 三精度测量阈值的设计公式

    谢谢、此致、
    Vedang
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    您好 Vedang、

    在第一个图像中、当输出开启时、DESAT 引脚上看起来会出现较大的尖峰、然后、正如预期的那样、输出会下降、器件会阻止输出开启。 为了更好地理解计时,您需要将时间缩放到更短的时间范围。 软关断功能应以~2us 为单位降低输出、因此在探测此功能时应使用类似的时间刻度。

    有关如何调整 DESAT 阈值的更多信息、请参阅此主题。

    https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/p/796343/2946036

    如果这有助于回答您的问题、您可以按下绿色按钮吗? 如果没有、请随时跟进。

    谢谢、

    John

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    尊敬的 John:

    我实际上在使用 IGBT (SKM300GB17E4)、其相关输出特性如下所示:-

    实际上、我计划根据输出特性在4至5V 电压下提供 DESAT 保护。 因此、根据您之前的答复、我将更改去饱和保护电路。

    请对4至5V 阈值下的去饱和引脚的噪声性能和响应时间进行评论。

    基本上我担心麻烦的跳闸。  

    谢谢、此致、

    Vedang

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    您好 Vedang、

    根据您所示器件的输出特性、应该适合使用4V-5V 的 DESAT 阈值、但您所选的15V VGE 也可以接受更高的电压。 DESAT 引脚从触发到90% OUTH/L 的响应时间如数据表中指定、通常为553ns。 此外、DESAT 引脚上的毛刺脉冲滤波器为330ns。

    但是、消隐时间将根据 V_DESAT 而变化:T_BLK =(C_BLK*V_DESAT)/I_CHG;其中 I_CHG 为0.5mA、V_DESAT 为4-5V、C_BLK 为消隐电容器。 消隐时间 t_BLK 可防止错误触发、并且不应小于从 VGE (-)到 VGE (+)的总导通转换。

    此致、
    Audrey
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    尊敬的 Audrey:

    感谢您的评论。 根据您的意见、我总结了如下所示的计算结果:-

    DESAT 引脚的响应时间= 0.553微秒。
    毛刺脉冲滤波器= 0.33微秒。
    消隐时间= 2.2微秒(C = 220pF、V_DESAT = 5V)。

    因此总时间实际上为= 3.083微秒。

    谢谢、此致、
    Vedang