主题中讨论的其他器件：LM74670-SQEVM、 TIDA-00858
我们使用您的开发套件 LM74670-SQEVM 评估了 LM74670-Q1、乍一看、它在单面电源方面达到了预期效果。 但是、我们的所有产品都需要全波整流、因此我们在桥式整流器布局中使用4个 LM74670-Q1创建了一个电路、类似于您的 TIDA-00858以及 LM74670-Q1数据表中的图11、以便评估该配置中的器件。 请参阅随附的电路图。 XFM1/2连接至辅助100VA 15Vac 变压器。 未安装 TVS1。
我们首先使用稳压直流电源进行测试、而不是使用变压器、电路按预期工作。 然后、我们转向使用交流电源。 我们在使用 IRF740作为 MOSFET 时取得了一定的成功，但在某些其他版本(包括 SQJ422EP)(如 LM74670-Q1数据表的表2中推荐的 MOSFET 示例所示，并在 LM74670-SQEVM 中使用)中却没有成功-我们的电路很快就被抽吸了！ 我们的原始电路包含 SQJQ466E -它也无法按预期工作。
为了检查我们的电路、我们通过移除其他三个电路来专注于桥式整流器的一个象限。 我们的推理是首先验证一个象限、然后逐步添加更多。 因此、我们重新创建了测试、但删除了 IC1、IC2、IC4及其周围部分。 我们将变压器连接到 XFM1、从 XFM 2上拆下变压器的另一侧、并通过200R 负载将其连接到 GND。 这实际上仅是智能二极管和变压器次级上的200R。 我们监控流经 IC3负载和栅极的电流。 在 IRF740中、我们看到的结果与我们预期的结果类似、其中栅极被驱动、负载每隔半个周期导通一次(除了在 C8充电期间、栅极未被驱动的半个周期除外)； 使用 SQJ422EP 时、栅极持续驱动(除非在 C8充电期间体二极管导通的时间段内)、并且负载持续导通。
我们发现 RDS (on)的差异是一个差异化因素。 IRF740的 RDS 为0.55R、SQJ422EP 的 RDS 为4.3mR。 该 RDS 决定了 FET 两端的压降、因此决定了 LM74670上阳极引脚和阴极引脚之间的电压。 当智能二极管配置为正向偏置时、这不会带来任何问题、但在反向偏置时、我们注意到、在 LM74670检测到阳极和阴极引脚之间的-20mV 电压之前、智能二极管不会停止导通。 对于0.55R 的 RDS、这相当于流经 MOSFET 的电流为36mA -在高电流电源中、该电流可以作为"浪费"或"泄漏"的形式传递。 然而、当 RDS 为4.3mR 且电流为4.5A 时、FET 上需要-20mV 的压降、这确实是一个大电流！
我们手动插入了与 SQJ422EP 通道串联的电阻、以验证增大的"RDS"确实更快地生成-20mV 电压、并停止智能二极管的导通。
我们现在了解了为什么智能二极管使用单侧电源-因为不会生成-20mV、因此无需关闭。
我们不理解这是如何在与全桥整流器的实际布局中工作的。 RDS 的增加将消除智能二极管应比标准二极管产生的任何效率。 无论如何、我们根本不了解您的解决方案 TIDA-00858是如何工作的。
我们想评估您的解决方案 TIDA-00858、但请注意、没有为此构建开发套件。 我们渴望创建您的解决方案副本以验证其性能、但我们希望先对上述结果发表评论、以便为我们的调查提供指导、因为我们现在在了解此电路如何正常运行方面陷入僵局。
非常感谢您的评论。
