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[参考译文] TPS62740:如果 VOUT 接近 VIN、则电流过大

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS62740
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/836933/tps62740-excess-current-if-vout-is-close-to-vin

器件型号:TPS62740

尊敬的 TI 团队:

我们基本上可以投入生产、但在两种不同的设计中、TPS62740有一些奇怪的东西。 在这两种设计中、TPS62740都是隔离式工作(没有其他负载、没有其他 IC 连接到电源轨)。

Vout 为3V3。

VIN >= 3.55V 时一切正常:大约400nA

但在这下面、我们可以看到消耗的电流为5.8uA (有时甚至是12uA)。

这里发生什么事了?  

下面是原理图:

以及一种设计的屏幕截图:

测试期间未连接 PG 和负载。 VSELX 处于高电平

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    此图显示了从开关到非开关的转换(通过在3V 时切换 VSEL4):

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    您好 Chris、

    正如您在数据表的电气特性第6页中看到的、您将进入自动100%模式转换。 这意味着没有电流消耗的调节、在只有高侧 MOSFET 导通时不会达到100%。 这就是您在这里看到系统中电流消耗增加的原因。

    非常感谢!

    此致、
    Dorian

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    您好 Chris、

    这些信息是否能为您提供帮助? 您是否还有其他疑问?

    非常感谢!

    此致、

    Dorian

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    Dorian、您好!

    很抱歉、我已经回答了。

    感谢您的支持。 但请确认、在100%模式下、实际预计电流消耗会更高。 我无法找到100%模式的电流规格。

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    您好 Chris、

    是的、预计在100%模式下会观察到更高的电流消耗。

    在100%模式下、由于高 MOSFET 晶体管始终处于导通状态、因此没有稳压功能。

    非常感谢!

    此致、
    Dorian