[参考译文] CSD25402Q3A：电池 FET

尊敬的 Patrick：

感谢您的查询。 请在下面查看我对您问题的回答。

1. 我们能否将其解释为当此 MOS 用作电池 FET 时、我们可以 忽略雪崩？ JW -我们绝不能真正忽略任何超出 BVDSS 时可能发生的雪崩。 这在直流/直流转换器和电机驱动等开关模式应用中更为常见、其中尖峰和振铃会导致 VDS > BVDSS、从而导致雪崩。 这在诸如热插拔、OR'ing 和电池 FET 等静态开关应用中并不常见。 对于这些应用、我们更关注 SOA 和由于脉冲期间的功率耗散而导致的结温上升。
2. 对于二极管正向电流、如下图所示、在出现最大电流时 Vf=0.525V、并且导致系统即将启动、我们可以获取温度。 室温(25°C)。 那么、PD = 0.525V * 40.4A = 21.21W < 69W、我是不是这样？ JW -您的计算基于波形看起来是正确的。 但是、我认为 VF 测量不是很准确。 我查看了我们的特性数据、VF ~ 0.9V @ 25C 和0.8V @ 125C。 因此、功率耗散可能高于计算值。

通过使用您计算得出的功率耗散和数据表中的瞬态热阻抗曲线、我们可以按如下方式估算结温升至外壳温度以上：

Δ-Σ= PD x Rtheta (j-c) x Ztheta (j-c)= 21.21W x 2.3C/W x 0.2 = 9.8C。 如果我使用 Vf = 0.8V、则 PD = 40.4A x 0.8V = 32.3W、结温上升为~15C。

我认为这不会是问题。 我有点担心40A 超出 FET 的封装限制、连续电流额定值35A。 但是、我假设这些脉冲不频繁发生、当它们发生时、它们是单脉冲事件。

您能否分享有关该应用程序的任何其他详细信息？

尊敬的 Patrick：

我认为这对于单脉冲操作是可以的。