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[参考译文] LM5069：LM5069 MOS 注意事项

admin
Guru**** 2538955 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5069

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/792076/lm5069-lm5069-mos-consideration

器件型号：LM5069

尊敬的团队：

1.背靠背 MOS 使用不同的 MOS 有什么问题呢？

在我的想法中、应该可以使用同一个。

2.对于 散热问题，我的客户将使用2+2背对背。 这里有任何问题吗？

驾驶性能还可以吗？

如何计算总4个 MOS 仍然有足够的驱动能力？ 与4个 MOS 的总 Qg 相关？

BR

Kevin

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    TI__Guru**** 2538955 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Kevin：

    1) 1) Q1是热插拔 FET、应具有强大的 SOA、其中 Q2阻断 FET。 对于 Q2、较低的 Ron 就足够好了。

    2) 2) LM5069最多可驱动6个 FET。 如果我们希望驱动更多的 FET、可能需要特别注意。

    请在设计计算 器 www.ti.com/.../toolssoftware 中输入您的规格 并发送给我进行审核。
    目标应用程序和 EE 是什么？

    此致、
    Rakesh
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    尊敬的 Kevin：

    是否有更新？

    此致、
    Rakesh
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    TI__Guru**** 2538955 points
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    尊敬的 Kevin：

    当您收到更新时、请随时重新打开。

    此致、
    Rakesh