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[参考译文] BQ34110:在 EOS 确定期间获得的奇怪结果

Guru**** 2618835 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ34110

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/813841/bq34110-strange-results-obtained-during-eos-determination

器件型号:BQ34110

我们在使用3xNiMH 电池的应用中使用 BQ34110、并正在评估 EOS 确定功能。 我们使用 LSM = 1的主机触发模式。 应用中使用分压器、并配置数据闪存分压器寄存器(0x15A9)。 使用 Voltage()和 Current()函数对应正确的电压和电流。 学习负载为39欧姆。 激活 LEN 引脚并使用 CURRENT()可获得合理的结果。

然而、当执行 EOS 确定来获得一个 RCELL 读数时、结果非常奇怪并且远低于预期。 我们得到的 RCELL 为1949 m Ω、EOSSTATUS1报告的学习开始/结束电压大约为18000mV。

是否可能缺少一些配置来解释这一点? 预期的 RCELL 为~100m Ω、电压应在3800mV 范围内。

大家还想知道在哪里可以找到应该用于根据测量值计算 Rcell 高温系数和低温系数的电子表格。 目前、系数默认为0。

此致、

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    Rcell 的 EOS 确定取决于正确的模式使用。 我们建议、一旦使用 LSM=0了解您的初始 Rcell。 直接而言、在 DOS 确定 Rcell 过程中获知的电池电阻值并不相关、但变化率很重要。 如果您的学习周期已按照 TRM 中的说明完成、则您的值应该是准确的。

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    我们在主机侧使用 BQ34110、它仅在主机完全通电时供电。 我们需要使用主机启动模式、并且我们承认、在我们的情况下、这意味着我们需要在主机中收集几个"获知的电阻值"并在主机中做出决策。 最有可能的 EOS 决策将 基于 RCELL 变化率标准。

     

    但是、不获得合理的值似乎仍然很奇怪? 我们在启动前没有执行充电、因此到目前为止了解的电阻会有一些变化、但仍然是…Ω 最近运行:

     

    EOSLearStatus()=> 0080 (SO LDONE)

    EOSSTATUS1 = 00000000000008474E49000000002E3029005E00C60B (学习启动电压= 0x474E、学习停止电压= 0x4900、平均电流= 0x5E)

    EOSSTATUS2 = 0005 (EOS 记忆电阻= 0x0500 = 1280m Ω)

     

    一定是个  错误... 在哪里可以找到温度系数的电子表格?

     

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    尊敬的 Torgny:

    请允许我在几天内回复您。 我需要与 FW 开发人员交谈、以确认您在此处看到的差异。

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    尊敬的 Torgny:

    我与开发人员交谈、他们的回答是、如果您在 chg 期间计算的 Rcell 会发生变化、那么差异率就很重要了。

    此处没有热敏电阻选择的电子表格。 该器件的首选热敏电阻是 Semitec 103AT。

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    您好、Batt、

    我认为真正的问题不是差异,它所获得的价值根本不是合理的。

    EOSLearStatus()=> 0080 (SO LDONE)

    EOSSTATUS1 = 00000000000008474E49000000002E3029005E00C60B (学习启动电压= 0x474E、学习停止电压= 0x4900、平均电流= 0x5E)

    EOSSTATUS2 = 0005 (EOS 记忆电阻= 0x0500 = 1280m Ω)

    该数据表明 、电池的 ESR 为1280 m Ω。  实际值应更多地类似于100m Ω! 此外、有关电压的额外 EOSSSTATUS 数据表明、可能 是由于学习启动电压= 18.254V 且学习停止电压= 18.688V 而导致配置错误。 它是一个3节镍氢电池。 使用 Voltage()函数可得到正确的值,但 EOS 函数报告的情况却截然不同。

    第二个问题与热敏电阻无关。 它介绍了如何计算 EOS 算法可以用来补偿作为温度函数的 RCELL 偏差的温度系数。 但 我在另一个线程中找到了 Excel 工作表、因此我们现在将其保留。 根据 TRM 中的指令、当前系数为0。

    您能问开发人员、是否有任何我可能错误配置的东西会解释 EOS 期间的关断电压读数和 RCELL 读数? 配置数据闪存分压器寄存器(0x15A9)、Voltage()函数提供正确的读数。

    此致、

    /Torgny

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    尊敬的 Torgny:

    让我再次与开发人员交谈。 同时、您能否发送您的 srec 以便我们查看您的设置?

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    您好、Batt、

    我没有推荐。 但是这些是我认为与 EOS 函数相关的 DataFlash 设置、我已经使用对器件进行了编程:

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    抱歉、记忆放电时间0x4229的拼写错误应为500s、因为这是默认值(不过是很长的时间...?)

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    尊敬的 Torgny:

    我与开发人员进行了核对。 如果学习负载发生变化、则 EOS 中的镍氢电池可能会产生误差、这是由于电池中存在迟滞。 一项建议是使用平均学习值来监测曲棍球杆的阻力增加类型。 请查看您是否可以这样做。

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    计划每四周左右读取一次读数。 因此、平均值计算似乎不是一个有用的解决方案、但 让我们忽略该变化。

    主要问题是值远不及。 电阻是因数10关闭、电压值是因数4关闭。 必须存在其他问题。 当实际电池电压大约为3.8V 时、询问 EOSSSTATUS1 = 00000000000008474E4900002E3029005E00C60B (学习启动电压= 0x474E、学习停止电压= 0x4900、平均电流= 0x5E)的原因。  由于这是疯狂的、因此基于这些值进行的任何计算都肯定也是不正确的。

    此致、

    /Torgny

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    尊敬的 Torgny:

    请查看这些视频以获取帮助、 www.youtube.com/watch 和